珠海基石科技有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网获悉珠海基石科技有限公司申请的专利光致抗蚀剂、图案化薄膜、图案化基底、半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118795730B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411269171.4，技术领域涉及：G03F7/004；该发明授权光致抗蚀剂、图案化薄膜、图案化基底、半导体器件及其制备方法是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2024-09-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本光致抗蚀剂、图案化薄膜、图案化基底、半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种光致抗蚀剂、图案化薄膜、图案化基底、半导体器件及其制备方法，光致抗蚀剂包括成膜树脂、光致酸产生剂、添加剂和溶剂，所述添加剂包括抗老化剂；所述抗老化剂包括结构式为的化合物，其中，R1、R2、R3和R4独立地选自氢原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的炔基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的烷氧基、‑C=O‑R5或‑C=OO‑R6。本申请提供的光致抗蚀剂包含具有环氧结构的抗老化剂，有利于抑制光致抗蚀剂的老化反应，提高光致抗蚀剂的稳定性，延长光致抗蚀剂的储存周期。
本发明授权光致抗蚀剂、图案化薄膜、图案化基底、半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种光致抗蚀剂，其特征在于，所述光致抗蚀剂包括成膜树脂、光致酸产生剂、添加剂和溶剂，所述添加剂包括抗老化剂； 所述抗老化剂包括结构式为的化合物，其中，R1、R2、R3和R4独立地选自氢原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的炔基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的烷氧基、-C=O-R5或-C=OO-R6，且所述R1和所述R2中至少一者，和或，所述R3和所述R4中至少一者为-C=OO-R6； R5为卤素原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的炔基、取代或未取代的环烷基、或取代或未取代的芳基； R6为取代或未取代的烷基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的炔基、取代或未取代的环烷基、或取代或未取代的芳基。
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