成都吉莱芯科技有限公司;江苏吉莱微电子股份有限公司杨珏琳获国家专利权
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龙图腾网获悉成都吉莱芯科技有限公司;江苏吉莱微电子股份有限公司申请的专利一种低电容的双向ESD保护器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223053362U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422143169.4，技术领域涉及：H10D89/60；该实用新型一种低电容的双向ESD保护器件是由杨珏琳;张鹏;陈城;宋文龙;张春生;刘湘;许志峰设计研发完成，并于2024-09-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低电容的双向ESD保护器件在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种低电容的双向ESD保护器件，包括P型材料，其作为衬底；两个N型扩散区，其对称设于P型材料正面；N+掺杂区和P+掺杂区，其设于N型扩散区内；P型掺杂区，位于两个N型扩散区之间；绝缘介质层，位于N+掺杂区、P+掺杂区上方；表金属层，位于述N+掺杂区、P+掺杂区、绝缘介质层上方。本实用新型通过结构改进，在保证相同泄放能力的情况下，可以有效降低器件自身电容cj。采用W型元胞排列布局，可以减少归一化的元胞尺寸，相同电流下放能力所采用的面积更小，有效降低器件成本，还可以有效增加表面元胞长度，提高单位面积内的泄放电流密度，可以满足高速传输要求的极低电容、高可靠性等需求。
本实用新型一种低电容的双向ESD保护器件在权利要求书中公布了：1.低电容的双向ESD保护器件，其特征在于：包括 P型材料101，其作为衬底； 两个N型扩散区102，其对称设于所述P型材料101正面； N+掺杂区103和P+掺杂区104，其设于所述N型扩散区102内； P型掺杂区105，其设于所述P型材料101正面，位于两个所述N型扩散区102之间； 绝缘介质层107，其设于所述P型材料101正面，位于所述N+掺杂区103、所述P+掺杂区104上方； 表金属层108，其设于所述N型扩散区102正面，位于述N+掺杂区103、所述P+掺杂区104、所述绝缘介质层107上方。
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