中国科学院半导体研究所牛山获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利有源区及量子级联激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116073234B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310046300.2，技术领域涉及：H01S5/34；该发明授权有源区及量子级联激光器是由牛山;张锦川;卓宁;程凤敏;刘峰奇设计研发完成，并于2023-01-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本有源区及量子级联激光器在说明书摘要公布了：本公开提供了一种有源区和量子级联激光器。有源区包括多个周期级联的有源核，有源核的每个周期均包括增益区及注入区，增益区包括四个增益区量子阱及三个增益区量子垒，每个增益区量子垒设置在相邻的两个增益区量子阱之间；四个增益区量子阱中的设置于上部的第一增益区量子阱的厚度最小；第二增益区量子阱的厚度最大；第二增益区量子阱到第四增益区量子阱的厚度逐渐降低；第二增益区量子阱与第三增益区量子阱的差值、小于第三增益区量子阱与第四增益区量子阱的差值，以使得第一微带内的附加能级部分延伸至注入区，附加能级与激光下能级相互耦合，注入到激光上能级的电子分别以垂直跃迁和斜跃迁的方式向激光下能级和附加能级辐射跃迁，并产生激光。
本发明授权有源区及量子级联激光器在权利要求书中公布了：1.一种有源区，包括多个周期级联的有源核，所述有源核的每个周期均包括：增益区及注入区， 所述增益区包括四个增益区量子阱及三个增益区量子垒，每个所述增益区量子垒设置在相邻的两个所述增益区量子阱之间； 其中，四个所述增益区量子阱中的设置于上部的第一增益区量子阱的厚度最小；第二增益区量子阱的厚度最大；所述第二增益区量子阱到第四增益区量子阱的厚度逐渐降低；所述第二增益区量子阱与第三增益区量子阱的差值、小于所述第三增益区量子阱与所述第四增益区量子阱的差值，以使得第一微带内的附加能级部分延伸至注入区，所述附加能级与激光下能级相互耦合，注入到激光上能级的电子分别以垂直跃迁和斜跃迁的方式向所述激光下能级和所述附加能级辐射跃迁，并产生激光。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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