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龙图腾网获悉西安交通大学;国网上海市电力公司申请的专利一种低寄生电感高散热性能的SiC双面冷却模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116314170B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310074662.2，技术领域涉及：H01L25/18；该发明授权一种低寄生电感高散热性能的SiC双面冷却模块是由王来利;龚泓舟;李磊;聂延;袁天舒;马定坤;马良俊;甘永梅;张虹;贾立新;高凯设计研发完成，并于2023-01-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低寄生电感高散热性能的SiC双面冷却模块在说明书摘要公布了：本发明涉及电力电子器件封装集成技术领域，尤其涉及一种低寄生电感高散热性能的SiC双面冷却模块，包括金属基板、功率端子正极、功率端子负极、交流端子、上半桥碳化硅MOS芯片、下半桥碳化硅MOS芯片、底层芯片、作为交流端子引出层的顶层DBC基板、作为负极端子引出层的中间层DBC基板、作为正极端子引出层的底层DBC基板和功率回路金属柱；上半桥碳化硅MOS芯片通过功率回路金属柱与顶层DBC基板的铜层连接；下半桥碳化硅MOS芯片通过功率回路金属柱与底层DBC基板的铜层连接。本发明采用多层堆叠双面结构，使得换流路径为垂直换流结构，不仅减小了换流回路面积，而且通过各层相反的电流流向产生了不错的负互感抵消，优化模块换流路径。

本发明授权一种低寄生电感高散热性能的SiC双面冷却模块在权利要求书中公布了：1.一种低寄生电感高散热性能的SiC双面冷却模块，其特征在于，包括金属基板9、功率端子正极1、功率端子负极2、交流端子3、上半桥碳化硅MOS芯片4、下半桥碳化硅MOS芯片4、底层芯片、作为交流端子3引出层的顶层DBC基板、中间层DBC基板、作为半桥模块中上半桥的底层DBC基板和功率回路金属柱6；顶层DBC基板、中间层DBC基板和底层DBC基板表面设有铜层； 功率正端子与底层DBC基板的上表面铜层相连；交流端子3与顶层DBC基板连接； 上半桥碳化硅MOS芯片4固定于底层DBC基板上，并配有反并联SBD二极管5，上半桥碳化硅MOS芯片4的源极端通过功率回路金属柱6与顶层DBC基板的铜层连接； 下半桥碳化硅MOS芯片4固定于顶层DBC基板上，并配有反并联SBD二极管5，下半桥碳化硅MOS芯片4的源极端通过功率回路金属柱6与底层DBC基板的铜层连接； 功率负端子与中间层DBC基板的上表面铜层相连，中间层DBC基板与底层DBC基板之间设有实现电流通路的通孔结构8。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安交通大学;国网上海市电力公司，其通讯地址为：710049 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。