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当前位置 : 首页 > 专利喜报 > 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司金吉松获国家专利权

中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司金吉松获国家专利权

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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115440699B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110618317.1,技术领域涉及:H01L23/528;该发明授权半导体结构及其形成方法是由金吉松设计研发完成,并于2021-06-03向国家知识产权局提交的专利申请。

半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了:一种半导体结构及其形成方法,半导体结构包括:基底;第一介电层,位于基底上;第一金属互连线,位于第一介电层中,沿第一方向延伸且沿第二方向平行排布,包括下层子互连线和上层子互连线,上层子互连线位于下层子互连线上方,在第二方向上,下层子互连线和上层子互连线在基底上的投影交替排布;第二介电层,位于第一介电层和上层子互连线的顶部;第二金属互连线,位于部分厚度的第二介电层中,沿第二方向延伸且沿第一方向平行排布;通孔互连结构,位于第二金属互连线底部的剩余第二介电层、以及部分厚度的第一介电层中,通孔互连结构与上层子互连线的顶部相连,且在纵向上覆盖部分厚度的上层子互连线的侧壁。本发明有利于减小电阻‑电容延迟。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了:1.一种半导体结构,其特征在于,包括: 基底,所述基底的表面法线方向为纵向; 第一介电层,位于所述基底上; 多根第一金属互连线,位于所述第一介电层中,所述第一金属互连线包括相连的下层子互连线和上层子互连线,所述下层子互连线位于部分厚度的所述第一介电层中,所述上层子互连线位于所述下层子互连线上方的剩余厚度的所述第一介电层中,所述下层子互连线和上层子互连线均沿第一方向延伸且沿第二方向平行排布,所述上层子互连线沿所述第一方向与相邻的所述下层子互连线相连,所述第一方向与所述第二方向相垂直,在所述第二方向上,所述下层子互连线和所述上层子互连线在所述基底上的投影交替排布; 第二介电层,位于所述第一介电层和所述上层子互连线的顶部; 多根第二金属互连线,位于部分厚度的所述第二介电层中,且在所述纵向上与所述第一金属互连线间隔设置,所述第二金属互连线沿所述第二方向延伸且沿第一方向平行排布; 通孔互连结构,位于所述第二金属互连线底部的剩余厚度的所述第二介电层、以及部分厚度的所述第一介电层中,所述通孔互连结构与所述上层子互连线的顶部相连,且在所述纵向上覆盖部分厚度的所述上层子互连线的侧壁。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,其通讯地址为:201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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