格科半导体(上海)有限公司邹文获国家专利权
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龙图腾网获悉格科半导体(上海)有限公司申请的专利背照式图像传感器的栅格结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115440750B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110617120.6，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权背照式图像传感器的栅格结构及其制造方法是由邹文;胡杏设计研发完成，并于2021-06-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本背照式图像传感器的栅格结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种背照式图像传感器的栅格结构及其制造方法，通过去除填充通孔或沟槽时形成于衬底背面的停止层、阻障层和金属层，并再次形成新的阻障层和新的金属层，利用新的阻障层作为后续步骤中刻蚀新的金属层的停止层，既保证了刻蚀均匀性，又降低了所形成的栅格结构中金属层底部到衬底背面的距离，从而提高了栅格结构的防光学串扰性能，改善了背照式图像传感器的成像质量。
本发明授权背照式图像传感器的栅格结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种背照式图像传感器的栅格结构的制造方法，其特征在于，包括： 提供具有正面和背面的半导体衬底； 完成图像传感器正面工艺形成金属互联结构； 在所述衬底背面形成通孔或沟槽以暴露出所述正面工艺形成的部分金属互联结构，所述衬底背面形成有第一绝缘层、第一停止层、第二绝缘层； 在所述通孔或沟槽中以及衬底背面形成第一阻障层、第一金属层，所述通孔或沟槽中的第一金属层与衬底正面的金属互联结构电性连通；依次去除衬底背面的第一金属层、第一阻障层、第二绝缘层，停止于第一停止层； 去除第一停止层，停止于第一绝缘层； 在衬底背面依次形成第二阻障层、第二金属层、第三绝缘层； 刻蚀第三绝缘层、第二金属层、第二阻障层，以形成栅格结构，其中，第二阻障层作为刻蚀第二金属层的第二停止层，以降低所形成的栅格结构中的第二金属层底部到衬底背面的距离，从而提高栅格结构的防光学串扰性能。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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