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龙图腾网恭喜无锡中感微电子股份有限公司申请的专利过压检测电路、过流检测电路以及保护检测电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111856124B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010676773.7，技术领域涉及：G01R19/165；该发明授权过压检测电路、过流检测电路以及保护检测电路是由王钊设计研发完成，并于2020-07-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本过压检测电路、过流检测电路以及保护检测电路在说明书摘要公布了：本发明提供一种过压检测电路、过流检测电路以及保护检测电路，其中，过压检测电路包括：带隙基准电压产生电路，其用于产生带隙基准电压BG，其包括运算放大器OP、第一双极型晶体管Q1和第二双极型晶体管Q2；分压电路，其用于基于受检输入电压产生第一检测电压；比较器Comp1，其第一输入端接收所述带隙基准电压BG，其第二输入端接收所述第一检测电压；其中，所述第一双极型晶体管和第二双极型晶体管为PNP双极型晶体管。与现有技术相比，本发明中，用于实现电压检测和或电流检测的双极型晶体管可以采用普通的CMOS工艺中寄生的PNP型双极型晶体管，从而减少光刻步骤，进而降低芯片的生产成本。

本发明授权过压检测电路、过流检测电路以及保护检测电路在权利要求书中公布了：1.一种过流检测电路，其特征在于，其包括： 电流偏置电路，其用于产生偏置电流，其包括运算放大器OP、第一双极型晶体管Q1和第二双极型晶体管Q2； 比较电路，其包括比较器Comp2，所述比较电路基于所述电流偏置电路提供的偏置电流产生参考电压，基于所述电流偏置电路提供的偏置电流以及受检输入电压VM得到第二检测电压，并由比较器Comp2比较所述参考电压与第二检测电压； 其中，所述第一双极型晶体管和第二双极型晶体管为PNP双极型晶体管， 所述电流偏置电路还包括PMOS晶体管MP1、MP2、MP3，以及电阻R1、R2、R3、R6和R7，所述PMOS晶体管MP1、MP2和MP3用于形成电流镜； 所述比较电路还包括电阻R8、PMOS晶体管MP4和MP5，所述PMOS晶体管MP4基于所述电流偏置电路提供的偏置电流产生参考电压，PMOS晶体管MP5和电阻R8基于所述电流偏置电路提供的偏置电流以及受检输入电压VM得到第二检测电压；或者， 所述PMOS晶体管MP4基于所述电流偏置电路提供的偏置电流以及受检输入电压VM得到第二检测电压，PMOS晶体管MP5和电阻R8基于所述电流偏置电路提供的偏置电流产生参考电压， 所述PMOS晶体管MP1、MP2和MP3的栅极互连，源极与输入电压端VIN相连；PMOS晶体管MP1的栅极与运算放大器OP的输出端相连，其漏极经依次串联的电阻R1和R3与第一双极型晶体管Q1的射极相连；第一双极型晶体管Q1的基极和集电极均接地；电阻R2的一端与PMOS晶体管MP1的漏极相连，其另一端与第二型双极型晶体管Q2的射极相连；第二型双极型晶体管Q2的基极和集电极均接地；运算放大器OP的第一输入端与电阻R1和R3之间的连接节点A相连，其第二输入端与第二双极型晶体管Q2的射极相连；电阻R6连接于所述运算放大器OP的第一输入端和接地端之间，电阻R7连接于所述运算放大器OP的第二输入端和接地端之间；PMOS晶体管MP2的漏极与PMOS晶体管MP4的源极相连；比较器Comp2的第二输入端与PMOS晶体管MP2的漏极相连，其第一输入端与PMOS晶体管MP3的漏极相连，PMOS晶体管MP4的栅极接收受检输入电压VM或接地，其漏极接地；PMOS晶体管MP3的漏极经电阻R8与PMOS晶体管MP5的源极相连；PMOS晶体管MP5的漏极接地，PMOS晶体管MP5的栅极接地或接收受检输入电压VM，其中，输入电压端VIN的电压为电芯电压，受检输入电压VM为电池保护电路中功率开关的导通电压。

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