恭喜英特尔公司M·曹获国家专利权
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龙图腾网恭喜英特尔公司申请的专利用于老化保护带减少的自适应电压系统获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN110383383B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201880015510.2,技术领域涉及:G11C11/413;该发明授权用于老化保护带减少的自适应电压系统是由M·曹;J·库尔卡尼;C·托库纳加;M·科拉;J·茨陈兹设计研发完成,并于2018-03-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于老化保护带减少的自适应电压系统在说明书摘要公布了:提供了一种设备,该设备包括:第一电源节点;第二电源节点;存储器位单元,耦合到第二电源节点;电路,耦合到第一电源节点和第二电源节点,该电路用于在二极管连接模式下操作;以及晶体管,该晶体管并联耦合到电路,其中晶体管能由数字信号控制,使得当晶体管导通时,其用于向存储器位单元施加电压应力和或电流应力。
本发明授权用于老化保护带减少的自适应电压系统在权利要求书中公布了:1.一种用于老化保护带减少的设备,所述设备包括: 第一电源节点; 第二电源节点; 存储器位单元,所述存储器位单元耦合到所述第二电源节点; 电路,所述电路耦合到所述第一电源节点和所述第二电源节点,所述电路用于在二极管连接模式下操作; 晶体管,所述晶体管与所述电路并联耦合,其中所述晶体管能由数字信号控制,使得当所述晶体管导通时,所述晶体管用于向所述存储器位单元施加电压应力和或电流应力, 其中一列存储器位单元用于在待机或保持模式期间提供对存储器故障的早期检测。
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