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龙图腾网获悉西安交通大学;广东顺德西安交通大学研究院申请的专利一种基于互感补偿的高线性度LC型压控振荡器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115001401B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210600137.5，技术领域涉及：H03B5/12；该发明授权一种基于互感补偿的高线性度LC型压控振荡器是由桂小琰;王卡楠;杨浩然;赵振;唐人杰设计研发完成，并于2022-05-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于互感补偿的高线性度LC型压控振荡器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于互感补偿的高线性度LC型压控振荡器，包括LC振荡器，LC振荡器经π2移相器与可调跨导单元连接，π2移相器采用电感负载放大器实现，可调跨导单元包括可调电流源，可调电流源的输入端连接可调电流源控制电压产生单元，通过可调电流源控制电压产生单元改变偏置电流对可调跨导单元进行磁调谐。通过引入互感电感，根据电流控制磁调谐的原理通过可调电流调节等效可变电感，采用五级电压偏置电路将变化控制电压转化为变化控制电流以动态补偿不同控制电压段的VCO增益变化，在不降低VCO调谐范围的情况下大大提高了VCO增益的线性度。

本发明授权一种基于互感补偿的高线性度LC型压控振荡器在权利要求书中公布了：1.一种基于互感补偿的高线性度LC型压控振荡器，其特征在于，包括LC振荡器，LC振荡器经π2移相器与可调跨导单元连接，π2移相器采用电感负载放大器实现，可调跨导单元经可调电流源连接可调电流源控制电压产生单元，控制电压Vctrl通过可调电流源控制电压产生单元改变可调跨导单元内的偏置电流； π2移相器包括放大管M3和M4，放大管M3和M4的栅极分别与LC振荡器连接，放大管M3和M4源级接地，放大管M3和M4的漏极分别与可调跨导单元连接，放大管M3和M4的漏极分别经电感Ld1和Ld2连接VDD_core； 可调跨导单元包括放大管M5和M6，放大管M5和M6的栅极分别与π2移相器连接，放大管M5和M6的漏极分别经电感LS1和LS2连接VDD_core，放大管M5和M6的源级分别与可调电流源的漏极连接，可调电流源的栅极与可调电流源控制电压产生单元中的VL1-5连接； 可调电流源控制电压产生单元的电压控制范围为0.5~1.8V，可调电流源控制电压产生单元包括VL1、VL2、VL3、VL4和VL5，具体如下： VL1：NMOS管M7的栅极接CCTRL，NMOS管M7的源级接地，NMOS管M7的漏极经电阻R1连接VDD_1p8； VL2：NMOS管M8的栅极接CCTRL，源级接地，漏极经电阻R2连接VDD_1p8； VL3：NMOS管M9的栅极接CCTRL，漏极连接VDD_1p8，源级分两路，一路经电阻R3接地，另一路连接M10的栅极，NMOS管M10的源级接地，漏极经电阻R4连接VDD_1p8； VL4：NMOS管M11的栅极接CCTRL，漏极连接VDD_1p8，源级分两路，一路经电阻R5接地，另一路连接NMOS管M12的栅极，NMOS管M12的源级接地，漏极经电阻R6连接VDD_1p8； VL5：NMOS管M13的栅极接CCTRL，漏极连接VDD_1p8，源级分两路，一路经电阻R7接地，另一路连接NMOS管M14的栅极，NMOS管M14的源级接地，漏极经电阻R8连接VDD_1p8。

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