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亚德诺半导体国际无限责任公司E·J·考尼获国家专利权

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龙图腾网获悉亚德诺半导体国际无限责任公司申请的专利高压DMOS晶体管获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN112993038B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202011460085.3,技术领域涉及:H10D30/65;该发明授权高压DMOS晶体管是由E·J·考尼;A·布兰尼克;J·P·玛史凯尔设计研发完成,并于2020-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。

高压DMOS晶体管在说明书摘要公布了:提供横向n沟道LDMOS晶体管的改进结构以避免在晶体管工作期间发生的栅极‑氧化物破裂。LDMOS晶体管包括电介质隔离结构,该电介质隔离结构将包括寄生NPN晶体管的区域与由于弱影响电离而产生空穴电流的区域即LDMOS晶体管的扩展漏极区域物理隔离。根据本公开的实施方案,这可以使用两个区域之间的垂直沟槽来实现。还提出进一步的实施方案以使得减小寄生NPN晶体管的增益和减小背栅电阻,以便进一步提高LDMOS晶体管的鲁棒性。

本发明授权高压DMOS晶体管在权利要求书中公布了:1.一种LDMOS晶体管,包括: n阱中的n掺杂漏极; 栅极; p阱中的n掺杂源极;和 包括n阱中的第一p掺杂背栅区和p阱中的第二p掺杂背栅区的p掺杂背栅; 其中所述LDMOS晶体管还包括填充有氧化物的沟槽隔离结构,所述隔离结构被配置为将包括包含所述LDMOS晶体管的漏极的n阱的第一区域与包括包含所述LDMOS晶体管的源极的p阱的第二区域物理隔离,所述第二区域在使用中具有寄生双极结型晶体管, 其中LDMOS晶体管的n阱中的第一p掺杂背栅区电耦合到LDMOS晶体管的p阱中的第二p掺杂背栅区,以及 其中LDMOS晶体管的n阱中的第一n掺杂区电耦合到LDMOS晶体管的p阱中的第二n掺杂区,栅极形成在第二n掺杂区和n掺杂源极之间的p阱上,其中第二n掺杂区、p阱和n掺杂源极构成所述寄生双极结型晶体管, 其中所述第一区域还包括第一p型外延层,所述n阱形成在所述第一p型外延层上, 其中所述第二区域还包括第二p型外延层,所述p阱形成在所述第二p型外延层上,并且其中所述第二p型外延层比所述第一p型外延层厚。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人亚德诺半导体国际无限责任公司,其通讯地址为:爱尔兰利默里克;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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