华邦电子股份有限公司林昶鸿获国家专利权
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龙图腾网获悉华邦电子股份有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114582867B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011391173.2，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其形成方法是由林昶鸿设计研发完成，并于2020-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构包含半导体基底以及埋置于半导体基底中的栅极结构。栅极结构包含栅极电极层、设置于栅极电极层之上的阻障层、以及设置于阻障层之上的半导体层。此半导体结构还包含位于半导体基底中且暴露出栅极结构的阻障层和半导体层的气隙。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 一半导体基底；以及 一栅极结构，埋置于该半导体基底中且包括： 一栅极电极层； 一阻障层，设置于该栅极电极层之上；以及 一半导体层，设置于该阻障层之上；以及 一栅极衬层，其中该栅极电极层嵌套于该栅极衬层内，且该栅极衬层的顶面高于与该栅极电极层的顶面；以及 一气隙，位于该半导体基底中且暴露出该栅极结构的该阻障层和该半导体层。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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