联华电子股份有限公司张智能获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利存储器器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114583047B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011388129.6，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权存储器器件及其制造方法是由张智能;林大钧;苏士炜;蔡馥郁;蔡滨祥设计研发完成，并于2020-12-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种存储器器件及其制造方法。存储器器件包括器件衬底、下电极、可变电阻层以及上电极。下电极设置于器件衬底上。可变电阻层设置于下电极上。上电极设置于可变电阻层上。下电极经形成为具有张应力，而上电极经形成为具有压应力。
本发明授权存储器器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器器件，其特征在于，包括： 器件衬底； 下电极，设置于所述器件衬底上； 可变电阻层，设置于所述下电极上；以及 上电极，设置于所述可变电阻层上， 其中所述下电极经形成为具有张应力，且所述上电极经形成为具有压应力，所述下电极与所述上电极分别提供朝向所述可变电阻层的应力场，且 其中所述可变电阻层对应于所述下电极与所述上电极所提供的所述应力场而承受压应力，所述可变电阻层的上下两端之间的偏压可控制氧空缺的移动。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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