三星电子株式会社李铣浩获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体器件和具有其的半导体封装件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113013117B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011348008.9，技术领域涉及：H01L23/367；该发明授权半导体器件和具有其的半导体封装件是由李铣浩;金镇洙;明俊佑;朴庸镇;李在杰设计研发完成，并于2020-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件和具有其的半导体封装件在说明书摘要公布了：提供了一种半导体器件和具有其的半导体封装件。所述半导体器件包括：半导体芯片，所述半导体芯片具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；第一散热构件，所述第一散热构件位于所述半导体芯片的所述第二表面上，所述第一散热构件具有在垂直于所述第二表面的方向上的第一垂直热导率和在平行于所述第二表面的方向上的第一水平热导率，所述第一垂直热导率小于所述第一水平热导率；以及第二散热构件，所述第二散热构件包括穿过所述第一散热构件的垂直图案，所述第二散热构件具有大于所述第一散热构件的所述第一垂直热导率的第二垂直热导率。
本发明授权半导体器件和具有其的半导体封装件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，所述半导体器件包括： 半导体芯片，所述半导体芯片具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；以及 复合散热层，所述复合散热层包括： 第一散热构件，所述第一散热构件位于所述半导体芯片的所述第二表面上以直接接触所述半导体芯片的所述第二表面，所述第一散热构件在垂直于所述第二表面的方向上具有第一垂直热导率并且在平行于所述第二表面的方向上具有第一水平热导率，所述第一垂直热导率小于所述第一水平热导率；以及 第二散热构件，所述第二散热构件覆盖所述第一散热构件的侧表面和上表面，并且包括沿着所述半导体芯片的所述第二表面的边缘区域设置并且围绕所述第一散热构件的垂直图案和设置在所述第一散热构件上并且连接到所述垂直图案的散热层，所述垂直图案穿过所述第一散热构件以直接接触所述半导体芯片的所述第二表面，所述第二散热构件具有大于所述第一散热构件的所述第一垂直热导率的第二垂直热导率， 其中，所述复合散热层的侧表面与所述半导体芯片的侧表面基本上共面。
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