买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉北京机械设备研究所申请的专利驱动电压和电阻可调的SiC MOSFET驱动控制电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114499113B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011263085.4，技术领域涉及：H02M1/08；该发明授权驱动电压和电阻可调的SiC MOSFET驱动控制电路是由胡西红;秦东东;吴元元;袁红升设计研发完成，并于2020-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本驱动电压和电阻可调的SiC MOSFET驱动控制电路在说明书摘要公布了：本发明涉及一种驱动电压和电阻可调的SiCMOSFET驱动控制电路，属于SiCMOSFET驱动技术领域，解决了现有技术难以同时保证高增益、结构简单、高稳定性、高效率的问题。该变换器包括控制芯片、SiCMOSFET器件、电源VG1～VG2、开关管S1～S6，电阻RG1～RG2；其中，控制芯片，用于输出开关管S1～S6控制信号至开关管S1～S6的栅极；开关管S1、S2的漏极分别与电源VG1的正极连接；开关管S3～S5的漏极分别与电源VG1的负极、电源VG2的负极连接，并接地；开关管S6的漏极与电源VG2的正极连接；并且，开关管S1、S3的源极分别经电阻RG1与SiCMOSFET器件的栅极连接，开关管S2、S4的源极分别经电阻RG2与SiCMOSFET器件的栅极连接；开关管S5、S6的源极与SiCMOSFET器件的源极连接。该电路能够保证SiCMOSFET器件安全可靠运行。

本发明授权驱动电压和电阻可调的SiC MOSFET驱动控制电路在权利要求书中公布了：1.一种驱动电压和电阻可调的SiCMOSFET驱动控制电路，其特征在于，包括控制芯片、SiCMOSFET器件、电源VG1～VG2、开关管S1～S6，电阻RG1～RG2；其中，电阻值RG1＜RG2，电源电压VG1＞VG2； 控制芯片，用于输出开关管S1～S6控制信号至开关管S1～S6的栅极； 开关管S1、S2的漏极分别与电源VG1的正极连接；开关管S3～S5的漏极分别与电源VG1的负极、电源VG2的负极连接，并接地；开关管S6的漏极与电源VG2的正极连接；并且， 开关管S1、S3的源极分别经电阻RG1与SiCMOSFET器件的栅极连接，开关管S2、S4的源极分别经电阻RG2与SiCMOSFET器件的栅极连接；开关管S5、S6的源极与SiCMOSFET器件的源极连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京机械设备研究所，其通讯地址为：100854 北京市海淀区永定路50号（北京市142信箱208分箱）；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。