东京毅力科创株式会社浅原玄德获国家专利权
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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利等离子体处理装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112863986B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011222029.6，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权等离子体处理装置是由浅原玄德设计研发完成，并于2020-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本等离子体处理装置在说明书摘要公布了：本发明涉及等离子体处理装置。提供能够缩短在更换消耗构件时直到工艺稳定化为止的时间的等离子体处理装置。等离子体处理装置具备：载置台，其用于载置基板；腔室，其收纳所述载置台；气体供给部，其向所述腔室内供给处理气体；等离子体生成部，其在所述腔室内生成等离子体；消耗构件，其配置在生成所述等离子体的空间，被所述等离子体消耗；以及控制部，所述消耗构件具有：基部构件，其由包含氧元素的材料形成；以及盖构件，其由不包含氧元素的材料形成，所述基部构件的暴露于生成所述等离子体的空间的表面的至少一部分被所述盖构件覆盖。
本发明授权等离子体处理装置在权利要求书中公布了：1.一种等离子体处理装置，其中， 该等离子体处理装置具备： 载置台，其用于载置基板； 腔室，其收纳所述载置台； 气体供给部，其向所述腔室内供给处理气体； 等离子体生成部，其在所述腔室内生成等离子体； 消耗构件，其配置在生成所述等离子体的空间，被所述等离子体消耗；以及 控制部， 所述消耗构件具有： 基部构件，其由包含氧元素的材料形成；以及 盖构件，其由不包含氧元素的材料形成， 所述基部构件的暴露于生成所述等离子体的空间的表面的至少一部分被所述盖构件覆盖， 所述消耗构件具有： 第1区域，其是在对所述基板实施等离子体处理时的反应副产物的蚀刻速率比所述反应副产物的沉积速率高的区域；以及 第2区域，其是所述反应副产物的蚀刻速率比所述反应副产物的沉积速率低的区域， 在所述第1区域，所述基部构件的至少一部分暴露。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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