台湾积体电路制造股份有限公司黄信华获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利集成芯片、晶片结合的方法以及在晶片上形成标记的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN113257789B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202011221231.7,技术领域涉及:H01L23/544;该发明授权集成芯片、晶片结合的方法以及在晶片上形成标记的方法是由黄信华;刘丙寅设计研发完成,并于2020-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成芯片、晶片结合的方法以及在晶片上形成标记的方法在说明书摘要公布了:本公开的实施例涉及一种集成芯片,所述集成芯片包括:结合结构,直接布置在第一衬底与第二衬底之间。第一衬底包括第一透明材料以及第一对齐标记。第一对齐标记布置在第一衬底的外侧区上且还包含第一透明材料。第一对齐标记由第一衬底的布置在第一衬底的最上表面与第一衬底的最下表面之间的表面界定。第二衬底包括:第二对齐标记,位于第二衬底的外侧区上。第二对齐标记直接位于第一对齐标记之下且结合结构直接布置在第一对齐标记与第二对齐标记之间。
本发明授权集成芯片、晶片结合的方法以及在晶片上形成标记的方法在权利要求书中公布了:1.一种集成芯片,其特征在于,包括: 第一衬底,包括: 第一透明材料,以及 第一对齐标记,位于所述第一衬底的外侧区上且包含所述第一透明材料,其中所述第一对齐标记由所述第一衬底的布置在所述第一衬底的最上表面与所述第一衬底的最下表面之间的表面界定; 第二衬底,包括: 第二对齐标记,位于所述第二衬底的外侧区上,其中所述第二对齐标记直接位于所述第一对齐标记之下;以及 结合结构,直接布置在所述第一衬底的所述最上表面与所述第二衬底的最上表面之间且直接布置在所述第一对齐标记与所述第二对齐标记之间, 其中所述第一对齐标记包括:布置在所述第一衬底的所述最下表面与所述第一衬底的所述最上表面之间的最下表面,布置在所述第一对齐标记的所述最下表面与所述第一衬底的所述最上表面之间的第一中间表面,布置在所述第一对齐标记的所述第一中间表面与所述第一衬底的所述最上表面之间的第二中间表面,将所述第一中间表面直接连接到所述第一对齐标记的所述最下表面的第一侧壁,以及将所述第二中间表面直接连接到所述第一中间表面的第二侧壁,且 其中所述第一对齐标记的所述最下表面的宽度等于第一距离,其中所述第一中间表面的宽度等于第二距离,其中所述第一侧壁的高度等于第三距离,其中所述第二中间表面的宽度等于第四距离,其中所述第二侧壁的高度等于第五距离,以及其中所述第一距离、所述第二距离、所述第三距离、所述第四距离及所述第五距离彼此相等。
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