联华电子股份有限公司苏士炜获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114447217B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011221313.1，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权半导体结构及其制作方法是由苏士炜;林大钧;张智伟;蔡滨祥;简廷安设计研发完成，并于2020-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体结构及其制作方法，其中该半导体结构包含一基底，一电阻式随机存取存储器位于该基底上，包含有一上电极、一下电极以及一电阻转换层位于该上电极以及该下电极之间，以及一帽盖层，覆盖于该电阻式随机存取存储器外侧，其中该帽盖层具有一上半部分以及一下半部分，且该上半部分与该下半部分所包含的应力不同。
本发明授权半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包含： 基底； 电阻式随机存取存储器，位于该基底上，包含有上电极、下电极以及电阻转换层位于该上电极以及该下电极之间，其中该电阻转换层包含金属氧化物；以及 帽盖层，覆盖于该电阻式随机存取存储器外侧，其中该帽盖层具有上半部分以及下半部分，且在该半导体结构未经初始化的状态下该上半部分与该下半部分所包含的应力不同。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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