东京毅力科创株式会社寺嶋亮获国家专利权
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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利等离子体处理方法及等离子体处理装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112786442B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011217178.3，技术领域涉及：H01L21/3065；该发明授权等离子体处理方法及等离子体处理装置是由寺嶋亮;酒井让设计研发完成，并于2020-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本等离子体处理方法及等离子体处理装置在说明书摘要公布了：提供一种对有机膜的蚀刻形状不良进行抑制的等离子体处理方法及等离子体处理装置。该等离子体处理方法通过在有机膜上由含硅膜形成且具有开口部的掩模，对所述有机膜进行蚀刻，该等离子体处理方法具有：对所述掩模的形状进行修复的工序，其中，对所述掩模的形状进行修复的工序包括：对所述掩模的开口部的侧壁进行改性的工序；以及对所述掩模的上表面进行蚀刻的工序。
本发明授权等离子体处理方法及等离子体处理装置在权利要求书中公布了：1.一种等离子体处理方法，其通过在有机膜上由含硅膜形成且具有开口部的掩模，对所述有机膜进行蚀刻，所述等离子体处理方法具有： 对所述掩模的形状进行修复的工序， 其中，对所述掩模的形状进行修复的工序包括： 对所述掩模的开口部的侧壁进行改性的工序；以及 对所述掩模的上表面进行蚀刻的工序， 在对所述掩模的开口部的侧壁进行改性的工序中， 将所述掩模的开口部的侧壁改性为SiC。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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