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龙图腾网获悉圣邦微电子(北京)股份有限公司申请的专利一种多环境的批量芯片测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114441927B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011205199.3，技术领域涉及：G01R31/28；该发明授权一种多环境的批量芯片测试方法是由王欢;于翔;谢程益设计研发完成，并于2020-11-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多环境的批量芯片测试方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种多环境的批量芯片测试方法。所述方法包括步骤1，基于第一测试环境对批量芯片进行一次测试，根据一次测试结果获取批量芯片的分档信息；步骤2，根据所述分档信息将批量芯片进行分档，将所述批量芯片分为第一档芯片至第N档芯片；步骤3，选择N档芯片中的任意一档，基于第二测试环境对该档芯片进行二次测试，根据二次测试结果获取该档芯片的修调目标，直至获取所述批量芯片中每一芯片的修调目标。基于本公开中所述方法，能够为芯片提供不同档位的修调目标，并能够实现高精度芯片的批量生产。

本发明授权一种多环境的批量芯片测试方法在权利要求书中公布了：1.一种多环境的批量芯片测试方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1，基于第一测试环境对批量芯片进行一次测试，根据一次测试结果获取批量芯片的分档信息； 步骤2，根据所述分档信息将批量芯片进行分档，将所述批量芯片分为第一档芯片至第N档芯片； 步骤3，选择N档芯片中的任意一档，基于第二测试环境对该档芯片进行二次测试，根据二次测试结果获取该档芯片的修调目标，直至获取所述批量芯片中每一芯片的修调目标； 所述步骤3还包括： 步骤3.1，根据该档芯片中每一芯片的分档信息和预期属性值，获得所述每一芯片的修调目标； 步骤3.2，比较所述二次测试结果和所述修调目标获得该档芯片中每一芯片的修调值； 所述第一测试环境为第一测试温度T1，所述一次测试结果为第一测试温度T1下芯片的输出电压V1； 所述批量芯片的分档信息为根据第一测试温度T1下芯片的输出电压V1获取的所述芯片所在档位的最大标准档位值与最小标准档位值的平均值； 所述第二测试环境为第二测试温度T2，所述二次测试结果为第二测试温度T2下芯片的输出电压V2； 所述每一芯片的修调目标为k*T2-T1+an+an+12； 其中，n为芯片的所在档位，k为芯片所在档位对应的预期属性值，an为芯片的所在档位的最小标准档位值，an+1为芯片的所在档位的最大标准档位值。

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