北京元芯碳基集成电路研究院;北京华碳元芯电子科技有限责任公司孟令款获国家专利权
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龙图腾网获悉北京元芯碳基集成电路研究院;北京华碳元芯电子科技有限责任公司申请的专利一种窄带隙半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114429989B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011176009.X，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权一种窄带隙半导体器件及其制备方法是由孟令款;张志勇;彭练矛设计研发完成，并于2020-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种窄带隙半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种具有高开关比的窄带隙半导体器件及其制作方法。该器件具有一支撑衬底，其上依次具有一窄带隙半导体层、一栅介质层和一栅极堆叠结构，栅极堆叠结构两侧具有一L形自对准侧墙，其水平部分与位于其下的栅介质层沿窄带隙半导体层所在平面分别向外侧的源极区和漏极区延伸一定长度。进一步在上述侧墙外侧的水平部分和上述窄带隙半导体层上沉积有金属，后者用作半导体器件的源极和漏极。该器件通过栅极自对准工艺形成侧墙，可以降低沟道与源漏极区接界处的电场强度，以此增加漏极端带间隧穿势垒的宽度，使得在大偏压下工作时能较好的抑制漏极端少子的反向隧穿，故能在保持窄带隙半导体器件高性能的同时增大开关比，并显著抑制双极性。
本发明授权一种窄带隙半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有高开关比的自对准窄带隙半导体器件,在支撑结构（101）上包括一窄带隙半导体层（103）及栅极堆叠结构（105），在所述栅极堆叠结构（105）两侧具有采用自对准工艺形成的、具有L形的侧墙（108，108’），分别限定出位于所述侧墙（108，108’）外侧的源极区、漏极区，其特征在于： 在所述栅极堆叠结构105与所述窄带隙半导体层（103）之间具有一栅介质层（104），所述侧墙（108，108’）与所述栅极堆叠结构105侧面直接接触，所述侧墙（108，108’）具有一竖直部分和一水平部分组成的L形轮廓，所述水平部分与位于其下的所述栅介质层（104）沿所述窄带隙半导体层（103）所在平面分别向外侧的所述源极区和所述漏极区延伸一定长度，在所述侧墙（108，108’）的竖直部分之外、水平部分之上和所述窄带隙半导体层（103）上均覆盖有金属层形成源极（110）和漏极（110’）。
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