华南理工大学胡晓龙获国家专利权
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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种高效SPP耦合器及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112213807B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011152643.X，技术领域涉及：G02B5/00；该发明授权一种高效SPP耦合器及其制作方法是由胡晓龙;梁旭;陈冠华设计研发完成，并于2020-10-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高效SPP耦合器及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明为一种高效SPP高效耦合器及其制备方法，其耦合器包括衬底、金属薄膜层、介质薄膜层、介质光栅层、非对称金属光栅结构；金属薄膜层与衬底连接，介质薄膜层分别与金属薄膜层、介质光栅层、非对称金属光栅结构连接。本发明可实现介质薄膜层将非对称金属光栅结构产生的单向传输SPP耦合至金属薄膜层，起到防止SPP淬灭，提高SPP耦合效率的作用。
本发明授权一种高效SPP耦合器及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种高效SPP耦合器，其特征在于，包括衬底、金属薄膜层、介质薄膜层、介质光栅层、非对称金属光栅结构；金属薄膜层与衬底连接，介质薄膜层分别与金属薄膜层、介质光栅层、非对称金属光栅结构连接； 金属薄膜层将衬底和介质薄膜层隔开，介质薄膜层将金属薄膜层和介质光栅层分隔开，介质薄膜层将金属薄膜层和非对称金属光栅结构隔开； 介质薄膜层折射率在1.4-2.5，介质光栅层中介质的折射率在1.4-1.7，光栅周期为300-800nm； 介质薄膜层厚度为5-50nm，则金属薄膜层厚度为10-100nm；或者，介质薄膜层厚度为300-800nm，则金属薄膜层厚度为100-200nm； 所述介质薄膜层为SiO2介质薄膜层或SiNx介质薄膜层； 所述非对称金属光栅结构为“倒L”形状或“Z”字型，非对称金属光栅结构覆盖介质光栅层。
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