恭喜华邦电子股份有限公司蔡易宗获国家专利权
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龙图腾网恭喜华邦电子股份有限公司申请的专利存储元件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114334985B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011085013.5，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权存储元件及其形成方法是由蔡易宗;林志豪设计研发完成，并于2020-10-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储元件及其形成方法在说明书摘要公布了：一种存储元件包括：配置在衬底上的多个叠层结构；以及介电层。每一个叠层结构包括：第一导体层、第二导体层、栅间介电层、金属硅化物层以及阻障层。第二导体层配置在第一导体层上。栅间介电层配置在第一导体层与第二导体层之间。金属硅化物层配置在第二导体层上。阻障层配置在金属硅化物层与第二导体层之间。介电层横向环绕多个叠层结构的下部，以暴露出多个叠层结构的金属硅化物层的一部分。另提供一种存储元件的形成方法。
本发明授权存储元件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种存储元件，包括： 多个叠层结构，配置在衬底上，其中每一个叠层结构包括： 第一导体层； 第二导体层，配置在所述第一导体层上； 栅间介电层，配置在所述第一导体层与所述第二导体层之间； 金属硅化物层，配置在所述第二导体层上；以及 阻障层，配置在所述金属硅化物层与所述第二导体层之间；以及介电层，横向环绕所述多个叠层结构的下部，以暴露出所述多个叠层结构的所述金属硅化物层的一部分；以及 多个间隙壁，分别配置在所述多个叠层结构与所述介电层之间， 其中所述金属硅化物层更延伸覆盖所述间隙壁的顶面与所述介电层的部分顶面。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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