恭喜上海新微技术研发中心有限公司吴炫烨获国家专利权
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龙图腾网恭喜上海新微技术研发中心有限公司申请的专利一种多层MEMS结构及其制作方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114249294B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011002265.7，技术领域涉及：B81B7/02；该发明授权一种多层MEMS结构及其制作方法与应用是由吴炫烨;关一民设计研发完成，并于2020-09-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多层MEMS结构及其制作方法与应用在说明书摘要公布了：本发明提供一种多层MEMS结构及其制作方法与应用，该制作方法包括以下步骤：第一次覆膜及图形化步骤：在衬底上覆盖第一光敏干膜，图形化所述第一光敏干膜，得到第一空腔于所述第一光敏干膜中；第二次覆膜及图形化步骤：在所述第一光敏光膜上覆盖第二光敏干膜，图形化所述第二光敏干膜，得到第二空腔于所述第二光敏干膜中。其中，若所需层数多于两层，可根据所需层数继续执行覆膜及图形化步骤至少一次。本发明使用至少两层光敏干膜实现多层MEMS结构的制造，各层结构更为平整，曝光更加均匀，可以减小结构误差，从而提高多层MEMS结构制造的良率。该多层MEMS结构及其制作方法可应用于多种微结构，包括但不限于纳米孔测序芯片。
本发明授权一种多层MEMS结构及其制作方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种多层MEMS结构在纳米孔测序芯片中的应用，其特征在于：所述多层MEMS结构采用如下所述的多层MEMS结构的制作方法制作得到；所述纳米孔测序芯片包括样品腔、磷脂层及蛋白纳米孔； 所述多层MEMS结构的制作方法包括以下步骤： 第一次覆膜及图形化步骤：在衬底上覆盖第一光敏干膜，图形化所述第一光敏干膜，得到第一空腔于所述第一光敏干膜中； 第二次覆膜及图形化步骤： 在所述第一光敏干膜上覆盖第二光敏干膜，图形化所述第二光敏干膜，得到第二空腔于所述第二光敏干膜中； 所述第二空腔与所述第一空腔连通； 所述第二空腔的开口面积大于或小于所述第一空腔的开口面积； 所述衬底表面设有电极层，所述第一空腔暴露出所述电极层； 所述第一空腔及所述第二空腔作为所述样品腔的组成部分，所述磷脂层固定于所述样品腔的内壁，并悬设于所述样品腔中，所述蛋白纳米孔与所述磷脂层连接，并在垂直方向上贯穿所述磷脂层。
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