恭喜意法半导体股份有限公司A·加塔尼获国家专利权
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龙图腾网恭喜意法半导体股份有限公司申请的专利用于功率MOSFET器件的抗老化架构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112448566B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010920181.5，技术领域涉及：H02M1/08；该发明授权用于功率MOSFET器件的抗老化架构是由A·加塔尼;A·加斯帕里尼设计研发完成，并于2020-09-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于功率MOSFET器件的抗老化架构在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及一种用于功率MOSFET器件的抗老化架构。功率MOS级包括第一功率MOS器件和第二功率MOS器件，并联连接在第一节点和第二节点之间，第一功率MOS器件具有第一额定电压，并且第二功率MOS器件具有第二额定电压，第二额定电压低于第一额定电压。驱动器电路被配置成在致动功率MOS级时，通过如下而以序列的方式来驱动第一和第二功率MOS器件的控制节点：在致动第二功率MOS器件之前，致动第一功率MOS器件。在解致动功率MOS级时，第一和第二功率MOS器件的控制节点通过如下而以序列的方式进一步被驱动：在解致动第一功率MOS器件之前，解致动第二功率MOS器件。
本发明授权用于功率MOSFET器件的抗老化架构在权利要求书中公布了：1.一种电路，包括： 功率MOS级；以及 驱动器电路，被配置成驱动所述功率MOS级； 其中所述功率MOS级包括第一功率MOS器件和第二功率MOS器件，所述第一功率MOS器件和所述第二功率MOS器件被并联连接在第一节点与第二节点之间，所述第一功率MOS器件具有第一额定电压，并且所述第二功率MOS器件具有第二额定电压，所述第二额定电压低于所述第一额定电压；并且 其中所述驱动器电路被配置成在通过如下方式致动所述功率MOS级时，以序列的方式来驱动所述第一功率MOS器件和所述第二功率MOS器件的控制节点：在致动具有所述第二额定电压的所述第二功率MOS器件之前，致动具有所述第一额定电压的所述第一功率MOS器件。
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