恭喜福建省晋华集成电路有限公司张钦福获国家专利权
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龙图腾网恭喜福建省晋华集成电路有限公司申请的专利一种半导体器件制备方法以及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111916397B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010842754.7，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权一种半导体器件制备方法以及半导体器件是由张钦福;冯立伟;童宇诚设计研发完成，并于2020-08-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件制备方法以及半导体器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件制备方法以及半导体器件，通过在基底上形成叠层结构，其中，基底包括单元阵列区、外围电路区以及位于单元阵列区与外围电路区之间的中间区域；在中间区域形成环绕单元阵列区外围的保护环沟槽；在叠层结构中第二介电层的上表面沉积第一绝缘材料形成第二支撑层，在保护环沟槽的底表面和侧壁沉积第二绝缘材料形成保护环结构；在单元阵列区形成电容结构。该方法通过先形成保护环结构，可以避免后续在单元阵列区形成电容结构时对外围电路区的蚀刻，另外，还可以支撑单元阵列区的电极结构、提高结构的稳定性，以及对单元阵列区和外围电路区进行物理隔离，避免电流泄漏，从而极大的提高了半导体器件的性能。
本发明授权一种半导体器件制备方法以及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件制备方法，其特征在于，包括： 在基底上形成叠层结构，其中，所述叠层结构包括在所述基底上依次形成的第一介电层、第一支撑结构和第二介电层，所述基底包括单元阵列区、外围电路区以及位于所述单元阵列区与所述外围电路区之间的中间区域； 在所述中间区域形成环绕所述单元阵列区外围的多个保护环沟槽； 在所述第二介电层的上表面沉积第一绝缘材料形成第二支撑层，在所述多个保护环沟槽的底表面和侧壁沉积第二绝缘材料形成保护环结构；所述保护环结构包括多个保护环，所述多个保护环沿着垂直于所述基底的方向延伸，且延伸深度不相同； 在所述单元阵列区形成电容结构。
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