恭喜福建省晋华集成电路有限公司童宇诚获国家专利权
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龙图腾网恭喜福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体器件及其电接触结构、制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111640748B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910927008.5，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体器件及其电接触结构、制造方法是由童宇诚;赖惠先设计研发完成，并于2019-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其电接触结构、制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体器件及其电接触结构、制造方法，通过将核心区中至少最靠近所述周边区的第一个接触插塞形成于核心区和周边区的交界处的隔离结构上方并与该隔离结构接触，且可以使得第一个接触插塞的底部完全重叠在该隔离结构上，或者，一部分底部与该隔离结构重叠，另一部分底部与紧挨该隔离结构的核心区的有源区重叠，甚至使得第一个接触插塞的顶部至少与紧挨该隔离结构的核心区的有源区上方的接触插塞的顶部相联在一起，由此，可以使得原先在核心区边界最外侧上形成的电学结构至少部分形成于交界处的隔离结构上方，进而保证核心区内部中的接触插塞上方的电学结构的一致性以及保证核心区边界上的电学结构的性能。
本发明授权半导体器件及其电接触结构、制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的电接触结构，其特征在于，所述电接触结构包括： 一衬底，所述衬底具有核心区和周边区以及位于所述核心区和周边区的交界处的隔离结构； 多个接触插塞，形成于所述核心区和所述隔离结构的上方； 其中，至少最靠近所述周边区的第一个接触插塞，形成于所述隔离结构上方并与所述隔离结构接触，其余的接触插塞形成于所述核心区的核心元件的上方且底部与相应的所述核心元件的有源区接触，且所述第一个接触插塞与其最近邻的形成在所述核心区上方的至少一个接触插塞的顶部相联在一起以形成相应的组合接触结构，所述组合接触结构上方还形成有相应的电学结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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