恭喜株式会社半导体能源研究所山崎舜平获国家专利权
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龙图腾网恭喜株式会社半导体能源研究所申请的专利半导体装置及半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112368846B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980044262.9，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权半导体装置及半导体装置的制造方法是由山崎舜平;松崎隆德;德丸亮;方堂凉太设计研发完成，并于2019-06-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：提供一种能够实现微型化或高集成化的半导体装置。本发明的半导体装置包括晶体管、电容器、电极及层间膜，晶体管包括半导体层、栅极、源极及漏极，晶体管及电容器以埋入层间膜中的方式配置，源极和漏极中的一个在半导体层的下方与电极接触，源极和漏极中的另一个在半导体层的上方与电容器的一个电极接触。
本发明授权半导体装置及半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括： 晶体管、电容器、电极及层间膜， 其中，所述晶体管包括半导体层、栅极、源极及漏极， 所述晶体管及所述电容器以埋入所述层间膜中的方式配置， 所述源极和所述漏极中的一个在所述半导体层的下方与所述电极接触， 所述源极和所述漏极中的另一个在所述半导体层的上方与所述电容器的一个电极接触， 其中，所述层间膜中设置有到达所述源极和所述漏极中的另一个的开口， 并且，所述电容器的一个电极沿着所述开口的侧面及底面配置。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社半导体能源研究所，其通讯地址为：日本神奈川县厚木市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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