恭喜英特尔公司G·A·格拉斯获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜英特尔公司申请的专利用于减少锗NMOS晶体管的源极/漏极扩散的掺杂绝缘体帽盖获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111052391B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201780094303.6，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权用于减少锗NMOS晶体管的源极/漏极扩散的掺杂绝缘体帽盖是由G·A·格拉斯;A·S·默西;K·贾姆布纳坦;C·C·邦伯格;T·加尼;J·T·卡瓦列罗斯;B·舒-金;S·H·宋;S·舒克赛设计研发完成，并于2017-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于减少锗NMOS晶体管的源极/漏极扩散的掺杂绝缘体帽盖在说明书摘要公布了：公开了在制作期间减少诸如磷或砷的n型掺杂剂从锗n‑MOS器件的源极区和漏极区向相邻的绝缘体区中的扩散的集成电路晶体管结构。所述n‑MOS晶体管器件可以包括原子百分比至少75％的锗。在示例性实施例中，沉积与源极区和或漏极区相邻的富含掺杂剂的绝缘体帽盖，以提供掺杂剂扩散减少。在一些实施例中，富含掺杂剂的绝缘体帽盖被掺杂有包括原子百分比处于1％和10％之间的浓度的磷的n型掺杂剂。在一些实施例中，富含掺杂剂的绝缘体帽盖可以具有处于10到100纳米的范围内的厚度以及处于10到200纳米的范围内的高度。
本发明授权用于减少锗NMOS晶体管的源极/漏极扩散的掺杂绝缘体帽盖在权利要求书中公布了：1.一种集成电路IC，包括： 包括原子百分比至少75％的锗的半导体主体； 处于所述半导体主体上的栅极结构，所述栅极结构包括栅极电介质和栅电极； 源极区和漏极区，所述源极区和所述漏极区都与所述栅极结构相邻，使得所述栅极结构处于所述源极区和所述漏极区之间，所述源极区和所述漏极区的至少其中之一包括n型杂质；以及 处于所述源极区和所述漏极区的所述至少其中之一与层间电介质层之间的富含掺杂剂的绝缘体帽盖区，所述富含掺杂剂的绝缘体帽盖区包括所述n型杂质，所述富含掺杂剂的绝缘体帽盖区在成分上与所述层间电介质层是有区别的。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人英特尔公司，其通讯地址为：美国加利福尼亚；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号