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龙图腾网获悉中国人民解放军国防科技大学申请的专利基于CNFET的高速数字低压差线性稳压器电源芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120103918B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510592786.9，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权基于CNFET的高速数字低压差线性稳压器电源芯片是由袁珩洲;邓睿祺;陈小文;黎铁军;池雅庆;桑浩;刘合源;陈元锐;陈祉延设计研发完成，并于2025-05-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于CNFET的高速数字低压差线性稳压器电源芯片在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于CNFET的高速数字低压差线性稳压器电源芯片，包括硅基SOC和生长在硅基SOC上方的CNFET电源管理芯片层，CNFET电源管理芯片层上设置有多个数字LDO，其输入端连接至外部电源端，输出端与硅基SOC连接以对硅基SOC进行供电，数字LDO包括：依次连接的比较器、粗调单元、精调单元以及电压输出单元；比较器输入端分别连接参考电压端和电压输出单元，输出端分别连接至粗调单元和精调单元；粗调单元包括相互连接的调节控制器以及粗调功率晶体管阵列；精调单元包括相互连接的移位寄存器以及精调功率晶体管阵列。本发明可以在兼顾响应速度和调节精度的情况下实现高效、稳定的电压调节。

本发明授权基于CNFET的高速数字低压差线性稳压器电源芯片在权利要求书中公布了：1.一种基于CNFET的高速数字低压差线性稳压器电源芯片，其特征在于，包括CNFET电源管理芯片层以及硅基SOC，所述CNFET电源管理芯片层生长在硅基SOC的上方，所述CNFET电源管理芯片层上设置有一个以上的数字LDO，各个所述数字LDO的输入端连接至外部电源端，各所述数字LDO的输出端与硅基SOC连接以对硅基SOC进行供电，所述数字LDO包括：依次连接的比较器、粗调单元、精调单元以及电压输出单元； 所述比较器的输入端分别连接参考电压端和电压输出单元，所述比较器的输出端分别连接至粗调单元和精调单元；所述比较器用于比较参考电压与电压输出单元反馈的输出电压的大小并输出比较信号； 所述粗调单元包括相互连接的调节控制器以及粗调功率晶体管阵列，所述调节控制器根据比较器输出的比较信号控制所述粗调功率晶体管阵列中各个晶体管的开关状态，以使得与当前负载电流大小相匹配； 所述精调单元包括相互连接的移位寄存器以及精调功率晶体管阵列，所述移位寄存器在粗调单元调节完成后进行移位操作，以控制所述精调功率晶体管阵列中各个晶体管的开关状态，直至将输出电压调节至参考电压。

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