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龙图腾网获悉通威微电子有限公司申请的专利一种沟槽MOSFET器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119997567B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510473494.3，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种沟槽MOSFET器件及其制作方法是由李大龙设计研发完成，并于2025-04-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种沟槽MOSFET器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种沟槽MOSFET器件及其制作方法，涉及半导体技术领域。包括N型衬底；第一N型外延层；位于第一N型外延层表层的氧化物层，氧化物层中设置有低K介质层；位于第一N型外延层表面的第二N型外延层，第二N型外延层设置有沟槽区；沟槽区设置有栅氧层与栅极多晶硅，栅氧层位于沟槽区的侧壁，并环绕栅极多晶硅设置，栅极多晶硅的底部与氧化物层接触；位于第二N型外延层内的P型阱区与位于第二N型外延层表层的N型掺杂区与PP区，位于栅极多晶硅表面的层间介质层；位于PP区与N型掺杂区表面的欧姆接触层，位于欧姆接触层与层间介质层表面的第一金属层。本申请具有大幅降低栅氧失效概率，提高栅氧可靠性及器件鲁棒性的优点。

本发明授权一种沟槽MOSFET器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种沟槽MOSFET器件，其特征在于，所述沟槽MOSFET器件包括： N型衬底； 位于所述衬底表面的第一N型外延层； 位于所述第一N型外延层表层的氧化物层，其中，所述氧化物层中设置有低K介质层； 位于所述第一N型外延层表面的第二N型外延层，所述第二N型外延层设置有沟槽区；所述沟槽区内设置有栅氧层与栅极多晶硅，所述栅氧层位于所述沟槽区的侧壁，并环绕所述栅极多晶硅设置，所述栅极多晶硅的底部与所述氧化物层接触；其中，所述氧化物层的厚度大于所述栅氧层的厚度，所述氧化物层的宽度大于所述沟槽区的宽度，所述低K介质层的宽度小于所述沟槽区的宽度； 位于所述第二N型外延层内的P型阱区与位于所述第二N型外延层表层的N型掺杂区与PP区，所述N型掺杂区位于所述P型阱区的表面，且所述N型掺杂区与所述P型阱区的两侧分别与所述PP区、所述栅氧层接触； 位于所述栅极多晶硅表面的层间介质层； 位于所述PP区与所述N型掺杂区表面的欧姆接触层； 位于所述欧姆接触层与所述层间介质层表面的第一金属层； 位于所述衬底背面的第二金属层。

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