浙江求是半导体设备有限公司;浙江晶瑞电子材料有限公司;浙江晶盛机电股份有限公司欧阳鹏根获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江求是半导体设备有限公司;浙江晶瑞电子材料有限公司;浙江晶盛机电股份有限公司申请的专利碳化硅晶锭加工方法及加工系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119952304B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510445458.6，技术领域涉及：B23K26/38；该发明授权碳化硅晶锭加工方法及加工系统是由欧阳鹏根;盛永江;刘小琴;杨水淼;赵阳阳;丁津伟设计研发完成，并于2025-04-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本碳化硅晶锭加工方法及加工系统在说明书摘要公布了：本申请提供了一种碳化硅晶锭加工方法及加工系统，属于碳化硅晶锭加工技术领域，解决了现有技术碳化硅晶锭难以加工的问题。本申请包括以下步骤：获取晶锭近光面的粗糙度，所述晶锭近光面为面向激光发射的面；根据晶锭近光面粗糙度，至少筛分出一级粗糙面和二级粗糙面，一级粗糙面的粗糙度Ra1大于二级粗糙面的粗糙度Ra2；基于不同粗糙面，执行加工策略，所述加工策略包括：采用α1光束向一级粗糙面的目标深度区域A1扫描，以形成第一改质区；采用α2光束向二级粗糙面的目标深度区域A2扫描，以形成第二改质区；其中，α1光束的脉冲能量配置为大于α2光束的脉冲能量，以使第一改质区的切缝宽度与第二改质区的切缝宽度基本相同。
本发明授权碳化硅晶锭加工方法及加工系统在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅晶锭加工方法，其特征在于，包括以下步骤： 获取晶锭近光面的粗糙度，所述晶锭近光面为面向激光发射的面； 根据晶锭近光面粗糙度，至少筛分出一级粗糙面和二级粗糙面，一级粗糙面的粗糙度Ra1大于二级粗糙面的粗糙度Ra2，所述一级粗糙面的粗糙度范围为＞3μm，所述二级粗糙面的粗糙度范围为≤3μm； 基于不同粗糙面，执行加工策略，所述加工策略包括： 采用α1光束向一级粗糙面的目标深度区域A1扫描，以形成第一改质区，所述α1光束配置为：脉冲能量3Jcm2～8Jcm2，频率10kHZ～50kHZ； 采用α2光束向二级粗糙面的目标深度区域A2扫描，以形成第二改质区，所述α2光束配置为：脉冲能量0.5Jcm2～1.5Jcm2，频率100kHZ～200kHZ； 其中，α1光束的脉冲能量配置为大于α2光束的脉冲能量，以使第一改质区的切缝宽度与第二改质区的切缝宽度基本相同。
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