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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119947163B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510430669.2，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体器件及其制备方法是由仇峰;杨莎莎;王珊珊设计研发完成，并于2025-04-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体制造技术领域，方法包括：提供衬底；蚀刻衬底以在衬底中形成沟槽；在沟槽中形成第一子场氧结构；在衬底上形成掩模层；蚀刻掩模层以形成开口，开口露出第一子场氧结构的一部分；在开口处形成第二子场氧结构，第二子场氧结构与第一子场氧结构相连接以形成场氧结构；执行离子注入工艺，以在衬底中形成体区和漂移区；在衬底上形成栅极结构，栅极结构跨设在体区与漂移区上，栅极结构覆盖场氧结构的一部分。第一子场氧结构在衬底中具有一定的深度可以使半导体器件获得高击穿电压，连接的第二子场氧结构和第一子场氧结构形成阶梯状可以缩短电流路径以减小导通电阻，提高了半导体器件的性能。

本发明授权半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 提供衬底； 蚀刻所述衬底以在所述衬底中形成沟槽； 在所述沟槽中形成第一子场氧结构； 在所述衬底上形成掩模层； 蚀刻所述掩模层以形成开口，所述开口露出所述第一子场氧结构的一部分； 在所述开口处形成第二子场氧结构，所述第二子场氧结构与所述第一子场氧结构相连接以形成场氧结构； 执行离子注入工艺，以在所述衬底中形成体区和漂移区，所述漂移区中包括阱区，所述第二子场氧结构位于所述漂移区的上方，所述第一子场氧结构部分或全部位于所述阱区内； 在所述衬底上形成栅极结构，所述栅极结构跨设在所述体区与漂移区上，所述栅极结构覆盖所述场氧结构的一部分； 形成源极和漏极，源极位于所述体区的顶部，漏极位于所述阱区的顶部，所述第一子场氧结构在所述衬底中的深度大于所述第二子场氧结构在所述衬底中的深度，所述第二子场氧结构与所述漏极的距离大于所述第一子场氧结构与所述漏极的距离。

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