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龙图腾网获悉合肥沛顿存储科技有限公司申请的专利一种多晶粒芯片封装结构的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119890059B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510368374.7，技术领域涉及：H01L21/56；该发明授权一种多晶粒芯片封装结构的制造方法是由高漩;吴政达;黎源;刘春晓;林泽源;苏柏元;金婷婷;朱长豹;韩智森设计研发完成，并于2025-03-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多晶粒芯片封装结构的制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及封装结构技术领域，尤其涉及一种多晶粒芯片封装结构的制造方法。步骤：硅晶圆包含DieC，用拾放工艺将DieA和DieB粘贴在DieC两侧的硅晶圆上；对DieA和DieB塑封，形成覆盖硅晶圆的塑封层；将塑封层固定在基板上，基板和塑封层之间覆有可控解键合材料，减薄硅晶圆厚度，在硅晶圆上蚀刻通孔，在通孔内沉积形成导电层；在硅晶圆上形成保护层，在保护层表面重布线，将线路与硅晶圆和导电层连接，形成线路层；将凸块制作在保护层上，凸块与线路层连接；用解键合工艺移除基板，得到最终结构；其中，可控解键合材料为微球和BCB树脂复合生成，该微球包括膨胀微球。本发明工艺简单，成本低，良率高。

本发明授权一种多晶粒芯片封装结构的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种多晶粒芯片封装结构的制造方法，其特征在于，包括如下步骤： 晶粒包括DieA、DieB、DieC，硅晶圆内包含DieC，用拾放工艺将DieA和DieB粘贴在DieC两侧的硅晶圆上；晶粒之间没有重叠； 对DieA和DieB进行塑封，形成覆盖硅晶圆的塑封层； 用键合工艺将塑封层固定在基板上，基板和塑封层之间覆有可控解键合材料，减薄硅晶圆厚度，在硅晶圆上蚀刻多个通孔，在通孔内沉积导电材料形成导电层； 在硅晶圆上形成保护层，用RDL工艺在保护层表面重布线，将线路与硅晶圆和导电层连接，形成线路层； 用凸点工艺将凸块制作在保护层上，凸块与线路层连接； 用解键合工艺移除基板，得到多晶粒芯片封装结构； 其中，可控解键合材料为微球和BCB树脂复合生成，该微球包括膨胀微球；可控解键合材料的制备方法包括如下步骤： BCB树脂加入均三甲苯，加热搅拌至溶解，得到BCB溶液； 将微球或预处理的微球加入到BCB溶液中，搅拌均匀，得到浆料，将浆料真空脱泡，得到可控解键合材料。

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