中国科学技术大学陈涛获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学技术大学申请的专利一种二维材料多端口可重构器件结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119894037B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510369042.0，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种二维材料多端口可重构器件结构及其制备方法是由陈涛;彭圣尧设计研发完成，并于2025-03-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种二维材料多端口可重构器件结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及纳米电子器件技术领域，特别是涉及一种二维材料多端口可重构器件结构及其制备方法。该器件包括：多个用于调控纳米二维材料沟道导电类型的静电栅极以及与有源区直接相连的纳米电极，其中数个纳米电极直接与中心二维材料相连，同时侧栅电极未与中心二维材料相连。通过施加不同的栅极电压，可以调控中心二维材料的载流子类型、密度及输运机理，实现在n型、p型或者无掺杂状态中自由切换。本发明提出的器件结构具有多个纳米尺寸的侧栅电极以及与沟道相连的电极，利用了二维材料的电可调谐性，可以获得较强的栅极控制能力、较高的器件集成度、可重构功能等优点。
本发明授权一种二维材料多端口可重构器件结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种二维材料多端口可重构器件，其特征在于，该器件具有数个纳米电极，其中一部分纳米电极直接与二维材料沟道相连，另一部分纳米电极未与二维材料相连并且作为侧栅电极对二维材料沟道进行调控，通过施加不同的栅极电压，可以调控中心二维材料的载流子类型以及密度，实现在n型、p型或者无掺杂状态中自由切换； 器件从下至上包括衬底层、绝缘层、金属电极层、二维材料层，所述金属电极层用于连接探针台或者通过引线键合实现电学连接； 衬底层材料包括掺杂硅、铟锡氧化物、碳化硅，作为背栅电极对沟道进行整体调控，绝缘层材料包括氧化硅、氧化铝、氮化硼、氮化硅、云母； 金属电极层使用电子束光刻制作数个纳米电极，一部分纳米电极直接与二维材料沟道相连，另一部分纳米电极作为侧栅电极对二维材料沟道进行调控； 金属电极层材料包括Ti、Cr、Au、Pd。
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