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龙图腾网获悉山东大学申请的专利一种碳化硅MOSFET功率器件终端结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118943165B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411433347.5，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种碳化硅MOSFET功率器件终端结构是由崔潆心;陆子成;韩吉胜;徐现刚设计研发完成，并于2024-10-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅MOSFET功率器件终端结构在说明书摘要公布了：本发明属于碳化硅MOSFET功率器件技术领域，具体涉及一种碳化硅MOSFET功率器件终端结构，位于场限环区域中的N型碳化硅外延层表面为斜面结构，斜面结构与水平面的倾角为2°～6°，在斜面结构表面通过离子注入形成若干个场限环。本发明终端结构可以使得元胞区域耗尽区、结终端扩展区域耗尽区和场限环区域的耗尽区更好地拓展到后端的场限环，延长了场限环区域的耗尽区，使得元胞区域、结终端扩展区域和场限环区域的电场分布更加均匀，缓解了电场集中的现象，提高了碳化硅MOSFET功率器件的击穿电压，并且减小了界面固定电荷密度增大导致击穿电压降低的幅度，使得器件的可靠性进一步提高。

本发明授权一种碳化硅MOSFET功率器件终端结构在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅MOSFET功率器件终端结构，所述终端结构包括结终端扩展区域C2和场限环区域C3，所述结终端扩展区域C2位于碳化硅MOSFET功率器件的元胞区域C1外侧，所述场限环区域C3位于所述结终端扩展区域C2外侧，所述场限环区域C3中含有N型碳化硅外延层3的一部分，其特征在于： 位于所述场限环区域C3中的N型碳化硅外延层3表面为斜面结构，斜面结构与水平面的倾角为2°～6°，在所述斜面结构表面通过离子注入形成若干个场限环11； 所述结终端扩展区域C2中含有N型碳化硅外延层3的一部分，在结终端扩展区域C2中的N型碳化硅外延层3的表面形成有结终端扩展10；所述结终端扩展10表面形成有第二P+区12； 还包括源极金属5，源极金属5的一部分与元胞区域C1中的N+区7和第一P+区8接触，另一部分位于结终端扩展区域C2并与第二P+区12接触； 位于所述结终端扩展区域C2中的N型碳化硅外延层3为水平面； 所述结终端扩展10和若干个场限环11由2～3次离子注入同时形成，每次离子注入时，对结终端扩展10和若干个场限环11同时进行离子注入，注入元素为铝，每次注入能量为100keV～800keV，每次注入剂量均为2×1013cm-2。

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