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龙图腾网获悉通威微电子有限公司申请的专利一种碳化硅晶体生长装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119194593B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411344541.6，技术领域涉及：C30B23/00；该发明授权一种碳化硅晶体生长装置是由张忠辉设计研发完成，并于2024-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅晶体生长装置在说明书摘要公布了：本发明实施例提供了一种碳化硅晶体生长装置，涉及碳化硅晶体生长技术领域。碳化硅晶体生长装置包括第一坩埚、第二坩埚、围设件、称重组件及升降组件。称重组件与第二坩埚连接，升降组件通过称重组件与第二坩埚连接，升降组件用以带动第二坩埚相对第一坩埚、围设件在轴向上移动，以使第二围板与第一围板在轴向上具有预设间距，且能使充气孔通过充气腔与生长腔连通。第二坩埚内逐渐沉积碳化硅晶体的过程中，作业人员能够根据所测得的第二坩埚的重量变化计算得到第二坩埚内碳化硅晶体的生长速率，进而根据碳化硅晶体的生长速率来控制外部掺杂气源通入掺杂气体的速率，从而保证稳定的掺杂效果，以提高碳化硅晶体的生长质量。

本发明授权一种碳化硅晶体生长装置在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅晶体生长装置，其特征在于，包括： 第一坩埚（100），所述第一坩埚（100）包括相连接的第一围板（110）与底板（120），所述第一围板（110）与所述底板（120）限定出用于放置碳化硅粉料的容置腔（140）； 第二坩埚（200），所述第二坩埚（200）包括相连接的第二围板（210）与顶板（220），所述第二围板（210）与所述顶板（220）共同限定出生长腔（250），所述生长腔（250）与所述容置腔（140）连通，所述顶板（220）与所述底板（120）相对； 围设件（300），所述围设件（300）用于围设于所述第一围板（110）与所述第二围板（210）外侧，所述围设件（300）能与所述第一围板（110）、所述第二围板（210）之间限定出充气腔（350），所述围设件（300）开设有与所述充气腔（350）连通的充气孔（340），外部掺杂气体能够通过所述充气孔（340）进入所述充气腔（350）； 称重组件（400），所述称重组件（400）与所述第二坩埚（200）连接； 升降组件（500），所述升降组件（500）通过所述称重组件（400）与所述第二坩埚（200）连接，所述升降组件（500）用以带动所述第二坩埚（200）相对所述第一坩埚（100）、所述围设件（300）在轴向上移动，以使所述第二围板（210）与所述第一围板（110）在所述轴向上具有预设间距，且能使所述充气孔（340）通过所述充气腔（350）与所述生长腔（250）连通； 能够根据所测得的所述第二坩埚（200）的重量变化计算得到所述第二坩埚（200）内碳化硅晶体的生长速率，进而根据碳化硅晶体的生长速率来控制外部掺杂气源通入掺杂气体的速率。

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