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龙图腾网获悉紫光闪芯科技(成都)有限公司申请的专利SSD的读干扰特性测试方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119724308B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411336162.2，技术领域涉及：G11C29/12；该发明授权SSD的读干扰特性测试方法及装置是由张婷婷;张易;东猛;张新宇设计研发完成，并于2024-09-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本SSD的读干扰特性测试方法及装置在说明书摘要公布了：本发明提供了一种SSD的读干扰特性测试方法及装置，该方法包括：通过顺序写的方式对待测试SSD中的RGBlock执行测试数据写操作，基于每一RGBlock的物理位置分布结构、RGBlock中每一Block的字线WL分布结构和一个WL中的物理页page分布结构构建适用不同粒度的待测试存储单位的读数据范围计算模型；根据读数据范围计算模型计算目标待测试存储单位中存储的测试数据的第一数据读取位置，以及与目标待测试存储单位对应的全面测试存储区域中存储的测试数据的第二数据读取位置；对第一、第二数据读取位置的测试数据随机读并校验数据是否正确，监测每个Block在出现数据校验错误时的读次数。本发明可以全面、精确以Die、Plane、Block、Wordline、Page等粒度快速实现SSD的读干扰特性测试。

本发明授权SSD的读干扰特性测试方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种SSD的读干扰特性测试方法，其特征在于，所述方法包括: 接收到测试请求时通过顺序写的方式对待测试SSD中的RGBlock执行测试数据写操作，所述待测试SSD中的各个逻辑单元die中分别位于不同面plane上的物理块Block组成多个RGBlock，RGBlock是将每个Die中每个Plane上的一个Block组织起来形成的一个并行操作单元； 基于每一RGBlock的物理位置分布结构、RGBlock中每一Block的字线WL分布结构和一个WL中的物理页page分布结构构建适用不同粒度的待测试存储单位的读数据范围计算模型，读数据范围计算模型用于基于RGBlock、die、plane、WL、page的位置索引编号与不同粒度的存储单位的数据存储量计算待测试存储单位中存储的测试数据对应的数据读取位置，所述读数据范围计算模型为： X*s_rgblk+Z*Q*N+Q*a+Q*Y*a+G*a+M*aS； 其中，X为目标待测试存储单位所在RGBlock的位置索引编号，Y为目标待测试存储单位所在Die的位置索引编号，G为目标待测试存储单位所在plane的位置索引编号，Z为目标待测试存储单位所在WL的位置索引编号，M为目标待测试存储单位所在page的位置索引编号，模型使用时粒度等级低于待测试存储单位所属的粒度等级的存储单位涉及的位置索引编号设置为0，s_rgblk为RGBlock写入的数据量，N为待测试SSD中包括Die的总数量，a为每层WL写入的数据量，Q为每一Die中包括plane的个数，S为每层WL包括page的数量； 获取测试请求中指示的目标待测试存储单位和测试模式，根据读数据范围计算模型计算目标待测试存储单位中存储的测试数据对应的第一数据读取位置； 若所述测试模式为全面测试模式，则对所述读数据范围计算模型中的RGBlock、die、plane和或WL的位置索引编号进行遍历，以计算与目标待测试存储单位对应的全面测试存储区域中存储的测试数据对应的第二数据读取位置； 对所述第一数据读取位置和第二数据读取位置内的测试数据进行反复的随机读，并校验数据是否正确，以监测目标待测试存储单位和对应的全面测试存储区域内每个Block在出现数据校验错误时对应的读次数。

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