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龙图腾网获悉之江实验室申请的专利一种拓扑绝缘体折射率梯度感知芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119198637B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411313479.4，技术领域涉及：G01N21/41；该发明授权一种拓扑绝缘体折射率梯度感知芯片是由熊婉姝;姜华卿;李玉苗;尹坤设计研发完成，并于2024-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种拓扑绝缘体折射率梯度感知芯片在说明书摘要公布了：本发明公开了一种拓扑绝缘体折射率梯度感知芯片。包括周期性拓扑平庸结构和拓扑非平庸结构，两者之间通过桥形界面相连，形成第一类拓扑边界态；在拓扑非平庸结构中，设置有一个由拓扑平庸单元构成的正三角形腔，该腔的底边与桥形界面平行且上顶点与桥形界面之间间隔一个光子晶体周期，腔的边界与外围的周期性拓扑非平庸单元构成Zigzag边界，形成第二类拓扑边界态，Zigzag边界处具备高群折射率，可以显著增强光与物质的相互作用，从而提高器件对于介质变化的响应。本发明基于拓扑绝缘体的天然优势，结构简单，工艺复杂度低，尺寸小，方便批量生成，通过设计调整拓扑平庸和非平庸结构参数，实现宽范围的折射率测试区间。

本发明授权一种拓扑绝缘体折射率梯度感知芯片在权利要求书中公布了：1.一种拓扑绝缘体折射率梯度感知芯片，其特征在于，包括： SiO2衬底、周期性拓扑平庸光子晶体单元结构和周期性拓扑非平庸光子晶体单元结构； 所述光子晶体单元结构均由高折射率材料组成，所述光子晶体单元结构上开有六边形空气孔，当所述光子晶体单元结构中六边形空气孔的放缩系数C＞1和C＜1时，两种光子晶体的拓扑陈数互为相反数，同时该放缩系数经过扫描优化以确保较大的光子晶体带隙； 所述周期性拓扑平庸光子晶体单元结构和拓扑非平庸光子晶体单元结构通过桥形界面相连，构成第一类拓扑保护边界态； 所述周期性拓扑非平庸光子晶体单元结构中设有正三角形腔，所述正三角形腔由拓扑平庸光子晶体构成，所述正三角形腔上方设有SiO2开放窗口；所述正三角形腔与桥形界面之间间隔一个光子晶体单元周期；所述正三角形腔区域内的拓扑平庸光子晶体与外部拓扑非平庸光子晶体构成Zigzag边界，所述Zigzag边界具备高群折射率； 所述周期性拓扑平庸光子晶体单元结构和周期性拓扑非平庸光子晶体单元结构共同构成光子晶体平板，所述SiO2衬底位于整块光子晶体平板下方，所述SiO2衬底在非三角形腔区域与上方SiO2开放窗口构成密闭的真空空间，确保折射率恒定为1；所述SiO2衬底在正三角形腔区域与光子晶体平板构成上方开放的容器，用于承载填充的纯折射率介质； 所述光子晶体平板，当入射端输入宽光谱光时，由于导带频率以及三角腔工作频率的差异，在出射端可测得具有损耗突变的传输谱，当改变正三角形腔区域光子晶体开放孔洞内填充物质的介质折射率时，所述传输谱会发生显著改变； 所述光子晶体平板经所述光子晶体单元结构的微调从而获得有差异的带隙范围，通过波分复用器并联形成传感器阵列，用于扩大传感器的工作频率范围。

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