北京新创椿树整流器件有限公司高占成获国家专利权
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龙图腾网获悉北京新创椿树整流器件有限公司申请的专利一种功率半导体芯片硅基氧化层打磨装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223071121U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422261268.2，技术领域涉及：B24B27/033；该实用新型一种功率半导体芯片硅基氧化层打磨装置是由高占成;高嘉鹏设计研发完成，并于2024-09-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种功率半导体芯片硅基氧化层打磨装置在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种功率半导体芯片硅基氧化层打磨装置，包括操作台，所述操作台的一侧表面贯穿转动连接有旋转连接轴，所述旋转连接轴的顶部固定连接有打磨盘，所述操作台的下表面安装有驱动旋转连接轴旋转的第一动力组件，所述操作台的另一侧上表面固定连接有固定矩形板。本实用新型，启动第二伺服电机，第二伺服电机的输出轴带着螺纹旋转杆旋转，使得升降连接架带着放料盘下降，让物体的待打磨面与打磨盘接触；然后启动第一伺服电机，第一伺服电机的输出轴带着旋转连接轴旋转，使得旋转连接轴带着打磨盘旋转，从而对物体进行打磨处理，无需人工手动清除，提高了作业效率，清除效果也得到保障。
本实用新型一种功率半导体芯片硅基氧化层打磨装置在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体芯片硅基氧化层打磨装置，包括操作台（1），其特征在于：所述操作台（1）的一侧表面贯穿转动连接有旋转连接轴（2），所述旋转连接轴（2）的顶部固定连接有打磨盘（3），所述操作台（1）的下表面安装有驱动旋转连接轴（2）旋转的第一动力组件，所述操作台（1）的另一侧上表面固定连接有固定矩形板（7），所述固定矩形板（7）的上表面固定连接有固定立柱（8），所述固定立柱（8）的外表面套设有升降连接架（11），所述固定矩形板（7）的上表面安装有驱动升降连接架（11）升降的第二动力组件，所述升降连接架（11）的上表面设置有吹风组件，所述升降连接架（11）的下表面固定连接有安装竖直杆（15），所述安装竖直杆（15）的底部连接有放料组件。
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