合肥晶威特电子有限责任公司董书霞获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶威特电子有限责任公司申请的专利一种快速定位的离子刻蚀系统获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223079070U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422254536.8，技术领域涉及：H01J37/32；该实用新型一种快速定位的离子刻蚀系统是由董书霞;陈维彦;吕成;王磊;李伟设计研发完成，并于2024-09-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种快速定位的离子刻蚀系统在说明书摘要公布了：本实用新型涉及半导体领域，具体是一种快速定位的离子刻蚀系统，包括受动力源驱动直线行进后骤停的刻蚀治具，刻蚀治具表面沿刻蚀治具行进方向开设有用于定位基座的基座定位槽；自上而下，基座定位槽呈收口状设计，沿刻蚀治具行进方向，基座定位槽前端开设有前导向斜面，基座定位槽后端开设有二段式的斜面，包括自下而上依次设置的后第一导向斜面以及后第二导向斜面，后第二导向斜面的坡度大于后第一导向斜面的坡度。本实用新型可使各基座前后位置与离子刻蚀位置保持一致，从而顺利进行离子刻蚀，避免基座音叉的振动臂位置前后不对应而产生电阻异常问题。
本实用新型一种快速定位的离子刻蚀系统在权利要求书中公布了：1.一种快速定位的离子刻蚀系统，其特征在于，包括受动力源驱动直线行进后骤停的刻蚀治具1，刻蚀治具1表面沿刻蚀治具1行进方向开设有用于定位基座的基座定位槽11；自上而下，基座定位槽11呈收口状设计，沿刻蚀治具1行进方向，基座定位槽11前端开设有前导向斜面111，基座定位槽11后端开设有二段式的斜面，包括自下而上依次设置的后第一导向斜面112以及后第二导向斜面113，后第二导向斜面113的坡度大于后第一导向斜面112的坡度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人合肥晶威特电子有限责任公司，其通讯地址为：230001 安徽省合肥市蜀山区经济技术开发区云谷路2569号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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