成都氮矽科技有限公司刘勇获国家专利权
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龙图腾网获悉成都氮矽科技有限公司申请的专利一种具有新型场板的氮化镓功率器件结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223080398U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422252759.0，技术领域涉及：H10D64/00；该实用新型一种具有新型场板的氮化镓功率器件结构是由刘勇;罗鹏;刘家才;朱仁强设计研发完成，并于2024-09-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有新型场板的氮化镓功率器件结构在说明书摘要公布了：本实用新型涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种具有新型场板的氮化镓功率器件结构，本实用新型是具有新型场板的氮化镓功率器件结构，场板金属位于栅极金属和漏极金属之间，且场板金属与源极金属互连。弧形场板右侧靠近漏极，在器件耐压时漏极发出的电力线一部分落在场板上，可以有效削弱漏极边缘的电场集中效应，从而减小漏极边缘的电场峰值，防止漏极提前击穿；弧形的场板金属左侧靠近栅极，在器件耐压时漏极发出的电力线一部分落在这一侧场板上，可以有效削弱栅极边缘的电场集中效应，从而减小栅极边缘的电场峰值，防止栅极提前击穿。
本实用新型一种具有新型场板的氮化镓功率器件结构在权利要求书中公布了：1.一种具有新型场板的氮化镓功率器件结构，其特征在于，包括从下至上依次设置的衬底、成核层、buffer层、掺杂层、沟道层和势垒层； 所述势垒层的上部设置有第一表面钝化层、源极金属和漏极金属，所述源极金属和漏极金属分别设置于第一表面钝化层的两侧； 所述第一表面钝化层的上部设置有栅极金属和两个第二表面钝化层，所述两个第二表面钝化层分别设置于栅极金属两侧； 位于第一表面钝化层的上部还设置有场板金属，所述场板金属分别与源极金属和漏极金属通过互连金属进行互连。
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