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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利基于准垂直MPS的单片集成二极管限幅单元及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119133174B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411279229.3，技术领域涉及：H10D84/00；该发明授权基于准垂直MPS的单片集成二极管限幅单元及制备方法是由杨凌;侯斌;常青原;芦浩;朱宥军;马晓华;张濛;武玫;郝跃设计研发完成，并于2024-09-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于准垂直MPS的单片集成二极管限幅单元及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于准垂直MPS的单片集成二极管限幅单元及制备方法，限幅单元包括位于硅衬底上的两个硅基GaN准垂直MPS，形成正向和反向限幅二极管；钝化层覆盖两个MPS和硅衬底；薄膜保护电阻位于钝化层内；第一互连金属将电阻的第一端与反向限幅二极管的阴极相连；第二互连金属形成电压输入和输出端、第一和第二基准电压端，还将正向限幅二极管的阴极与第一基准电压端相连，将正向限幅二极管的阳极、反向限幅二极管的阴极、薄膜保护电阻的第一端与电压输出端相连，将反向限幅二极管的阳极与第二基准电压端相连，以及将电阻的第二端与电压输入端1相连。本发明提供的二极管限幅单元具备较高耐压性能，能应用于大功率条件。

本发明授权基于准垂直MPS的单片集成二极管限幅单元及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于准垂直MPS的单片集成二极管限幅单元，其特征在于，包括： 硅衬底； 位于硅衬底上的两个硅基GaN准垂直MPS；所述两个硅基GaN准垂直MPS分别形成正向限幅二极管和反向限幅二极管； 钝化层；所述钝化层覆盖所述两个硅基GaN准垂直MPS和所述硅衬底； 薄膜保护电阻；所述薄膜保护电阻位于所述钝化层内部； 第一互连金属；所述第一互连金属用于将薄膜保护电阻的第一端与反向限幅二极管的阴极相连； 第二互连金属；所述第二互连金属用于形成所述单片集成二极管限幅单元的电压输入端、电压输出端、第一基准电压端和第二基准电压端，还用于将正向限幅二极管的阴极与第一基准电压端相连，将正向限幅二极管的阳极、反向限幅二极管的阴极、薄膜保护电阻的第一端与电压输出端相连，将反向限幅二极管的阳极与第二基准电压端相连，以及将薄膜保护电阻的第二端与电压输入端相连； 所述硅基GaN准垂直MPS包括：硅衬底、GaN导通层、GaN扩散层、一个或多个Mg掺杂P型BN场限环、阴极欧姆金属和阳极肖特基金属； 其中，所述GaN导通层叠加在所述硅衬底上，所述GaN扩散层叠加在所述GaN导通层上表面的中间区域；所述GaN扩散层的顶层设有一个或多个环形槽；多个所述环形槽同心设置；所述环形槽内淀积Mg掺杂P型BN材料形成所述Mg掺杂P型BN场限环；所述阳极肖特基金属位于所述GaN扩散层的上表面并与所述一个或多个Mg掺杂P型BN场限环接触；所述阴极欧姆金属位于所述GaN导通层的未被所述GaN扩散层覆盖部分的上表面，并环绕所述GaN扩散层。

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