成都森未科技有限公司陶奎获国家专利权
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龙图腾网获悉成都森未科技有限公司申请的专利IGBT终端结构及功率模块获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223080380U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202422238012.X,技术领域涉及:H10D12/00;该实用新型IGBT终端结构及功率模块是由陶奎;孟繁新;马克强;王思亮;蒋兴莉;岳兰设计研发完成,并于2024-09-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本IGBT终端结构及功率模块在说明书摘要公布了:本申请涉及半导体技术领域,具体而言,涉及一种IGBT终端结构及功率模块,包括衬底以及铺设在衬底上的场氧层;场氧层上设置有金属终止结构,金属终止结构绕场氧层的周缘布置;金属终止结构上包裹有钝化结构,钝化结构用于阻挡金属终止结构背离衬底的表面与水汽接触;衬底上设置有周向阻挡结构,周向阻挡结构沿金属终止结构的外侧围设,用于阻挡从场氧层与钝化结构的接触面缝隙进入的水汽与金属终止结构接触。本申请能够有效阻隔水汽,提升IGBT在极端条件下的稳定性以及使用寿命。
本实用新型IGBT终端结构及功率模块在权利要求书中公布了:1.一种IGBT终端结构,其特征在于,包括衬底100以及铺设在所述衬底100上的场氧层101;所述场氧层101上设置有金属终止结构102,所述金属终止结构102绕所述场氧层101的周缘布置;所述金属终止结构102上包裹有钝化结构103,所述钝化结构103用于阻挡所述金属终止结构102背离所述衬底100的表面与水汽接触;所述衬底100上设置有周向阻挡结构104,所述周向阻挡结构104沿所述金属终止结构102的外侧围设,用于阻挡从所述场氧层101与所述钝化结构103的接触面缝隙进入的水汽与所述金属终止结构102接触。
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