北京芯驰半导体科技股份有限公司冷寒剑获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉北京芯驰半导体科技股份有限公司申请的专利芯片的抗磁封装结构、芯片及电子设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223079118U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422231617.6，技术领域涉及：H01L23/31；该实用新型芯片的抗磁封装结构、芯片及电子设备是由冷寒剑设计研发完成，并于2024-09-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本芯片的抗磁封装结构、芯片及电子设备在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种芯片的抗磁封装结构、芯片及电子设备，包括：基板，基板具有安装面；芯片本体，芯片本体具有相背设置的第一面和第二面，芯片本体通过芯片本体的第一面设置于安装面；第一磁屏蔽层，第一磁屏蔽层设置在基板和芯片本体之间，第一磁屏蔽层用于屏蔽外部磁场在芯片本体的第一面对应方向上对芯片本体的干扰；封装层，封装层具有封装面，封装层用于将芯片本体、第一磁屏蔽层以及基板包裹在内；第二磁屏蔽层，第二磁屏蔽层设置于封装面，第二磁屏蔽层用于屏蔽外部磁场在芯片本体的第二面对应方向上对芯片本体的干扰；第一磁屏蔽层与第二磁屏蔽层平行设置，第一磁屏蔽层和第二磁屏蔽层协同屏蔽外部磁场对芯片本体的干扰。
本实用新型芯片的抗磁封装结构、芯片及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种芯片的抗磁封装结构，其特征在于，包括： 基板，所述基板具有安装面； 芯片本体，所述芯片本体具有相背设置的第一面和第二面，所述芯片本体通过所述芯片本体的第一面设置于所述安装面； 第一磁屏蔽层，所述第一磁屏蔽层设置在所述基板和所述芯片本体之间，所述第一磁屏蔽层用于屏蔽外部磁场在所述芯片本体的第一面对应方向上对所述芯片本体的干扰； 封装层，所述封装层具有封装面，所述封装层用于将所述芯片本体、所述第一磁屏蔽层以及所述基板包裹在内； 第二磁屏蔽层，所述第二磁屏蔽层设置于所述封装面，所述第二磁屏蔽层用于屏蔽外部磁场在所述芯片本体的第二面对应方向上对所述芯片本体的干扰； 其中，所述第一磁屏蔽层与所述第二磁屏蔽层平行设置，所述第一磁屏蔽层和所述第二磁屏蔽层协同屏蔽外部磁场对所述芯片本体的干扰。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京芯驰半导体科技股份有限公司，其通讯地址为：100176 北京市大兴区北京经济技术开发区荣华南路2号院5号楼5层505室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由AI智能生成
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号