上海新微半导体有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网获悉上海新微半导体有限公司申请的专利半导体器件结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223080383U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422233568.X，技术领域涉及：H10D30/47；该实用新型半导体器件结构是由请求不公布姓名;杨宇;王浩设计研发完成，并于2024-09-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件结构在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种半导体器件结构，包括：从下至上依次堆叠的衬底、第一电子供应层、沟道层、第二电子供应层、第一阻挡层、第二阻挡层和盖帽层，所述盖帽层具有暴露所述第二阻挡层的沟槽；以及，栅极，所述栅极位于所述第二阻挡层上，且位于所述沟槽内，所述栅极包括第一金属层，所述第一金属层的材料包括Pt金属；其中，所述第一阻挡层用于阻止Pt金属向所述第二电子供应层扩散，所述第一阻挡层包括AlAs阻挡层，所述第二阻挡层用作对所述盖帽层进行腐蚀以形成所述沟槽时的腐蚀停止层。由于Pt金属在AlAs中扩散很慢，经过蒸镀及合金化制程，Pt金属停留在所述第一阻挡层，Pt金属到所述沟道层距离较稳定，因此器件阈值电压波动相对较小。
本实用新型半导体器件结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件结构，其特征在于，所述半导体器件结构包括： 从下至上依次堆叠的衬底、第一电子供应层、沟道层、第二电子供应层、第一阻挡层、第二阻挡层和盖帽层，所述盖帽层具有暴露所述第二阻挡层的沟槽；以及， 栅极，所述栅极位于所述第二阻挡层上，且位于所述沟槽内，所述栅极包括第一金属层，所述第一金属层的材料包括Pt金属； 其中，所述第一阻挡层用于阻止Pt金属向所述第二电子供应层扩散，所述第一阻挡层包括AlAs阻挡层，所述第二阻挡层用作对所述盖帽层进行腐蚀以形成所述沟槽时的腐蚀停止层。
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