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龙图腾网获悉泰科天润半导体科技(北京)有限公司申请的专利一种提高短路可靠性的平面栅碳化硅VDMOS获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223080391U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422198983.6，技术领域涉及：H10D30/66；该实用新型一种提高短路可靠性的平面栅碳化硅VDMOS是由施广彦;张长沙;张瑜洁;李昀佶设计研发完成，并于2024-09-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种提高短路可靠性的平面栅碳化硅VDMOS在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种提高短路可靠性的平面栅碳化硅VDMOS，包括：漂移层连接至碳化硅衬底；均流层连接漂移层；均流层内设有凹槽；低阻区设于凹槽内，均流层下侧面均连接至均流层；P型阱区设于凹槽内，P型阱区外侧面连接均流层，P型阱区内侧面连接低阻区外侧面，P型阱区下侧面连接至均流层；P型阱区内设有N型源区以及P型源区，N型源区与P型源区连接；第一栅介质层下侧面分别连接N型源区、P型阱区以及低阻区；第二栅介质层连接至第一栅介质层；源极金属层分别连接均流层、P型阱区、N型源区以及P型源区；栅极金属层连接至第二栅介质层；漏极金属层连接至碳化硅衬底下侧面有效提高绝缘介质的热传导能力和热可靠性。

本实用新型一种提高短路可靠性的平面栅碳化硅VDMOS在权利要求书中公布了：1.一种提高短路可靠性的平面栅碳化硅VDMOS，其特征在于：包括： 碳化硅衬底， 漂移层，所述漂移层下侧面连接至所述碳化硅衬底上侧面； 均流层，所述均流层下侧面连接所述漂移层上侧面；所述均流层内设有凹槽； 低阻区，所述低阻区设于所述凹槽内，所述均流层下侧面均连接至所述均流层； P型阱区，所述P型阱区设于所述凹槽内，所述P型阱区外侧面连接均流层，所述P型阱区内侧面连接所述低阻区外侧面，所述P型阱区下侧面连接至所述均流层；所述P型阱区内设有N型源区以及P型源区，所述N型源区与P型源区连接； 第一栅介质层，所述第一栅介质层下侧面分别连接所述N型源区、P型阱区以及低阻区； 第二栅介质层，所述第二栅介质层连接至所述第一栅介质层； 源极金属层，所述源极金属层分别连接所述均流层、P型阱区、N型源区以及P型源区； 栅极金属层，所述栅极金属层连接至所述第二栅介质层； 以及，漏极金属层，所述漏极金属层连接至所述碳化硅衬底下侧面。

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