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龙图腾网获悉深圳云潼微电子科技有限公司;重庆云潼科技有限公司申请的专利一种快恢复二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118367011B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410770990.0，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种快恢复二极管及其制备方法是由韦秋媛;廖光朝设计研发完成，并于2024-06-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种快恢复二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种快恢复二极管，该快恢复二极管包括：衬底、N型外延层、有源区和环绕所述有源区的终端区；所述N型外延层位于所述衬底之上，其中，所述N型外延层包括依次层叠设置的N缓冲层、N漂移层和N‑外延层，在所述N型外延层中，所述N漂移层的掺杂浓度最小；所述有源区和所述终端区均位于所述N‑外延层上。通过该快恢复二极管，能实现降低快恢复二极管的最大反向恢复电流Irrm，减少损耗，增大器件可靠性，降低应用端失效率等效果。

本发明授权一种快恢复二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种快恢复二极管，其特征在于，包括：衬底、N型外延层、有源区和环绕所述有源区的终端区； 所述N型外延层位于所述衬底之上，其中，所述N型外延层包括依次层叠设置的N缓冲层、N漂移层和N-外延层，在所述N型外延层中，所述N漂移层的掺杂浓度最小； 所述有源区和所述终端区均位于所述N-外延层上； 其中，所述N-外延层的掺杂浓度高于所述N漂移层的掺杂浓度，且所述N-外延层的掺杂浓度低于所述N缓冲层的掺杂浓度，以满足快恢复二极管器件的尺寸要求，进一步体现器件的实用效率； 所述N漂移层的掺杂浓度的范围为1E14cm3~1.5E14cm3，所述N漂移层的厚度范围为40um~65um； 所述N-外延层的掺杂浓度为所述N漂移层的掺杂浓度的1.5倍至3倍，所述N-外延层的厚度范围为10um~20um； 所述N缓冲层的掺杂浓度为所述N漂移层的掺杂浓度的7倍至10倍，所述N缓冲层的厚度范围为10um~20um； N漂移层用于展宽耗尽区，提高快恢复二极管的反向耐压值； N-外延层用于保证本快恢复二极管器件的高耐压值，以使N-外延层的掺杂浓度不宜过高，并且可以折中调节得到较好的导通压降。

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