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龙图腾网获悉聚灿光电科技(宿迁)有限公司申请的专利一种倒装LED芯片获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223080438U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202420739583.9，技术领域涉及：H10H20/841；该实用新型一种倒装LED芯片是由黄文光;史烁;曹玉飞;柯荣庆;赵方方;郇洁;冯小楠;孙宇泉设计研发完成，并于2024-04-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种倒装LED芯片在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种倒装LED芯片，旨在提高LED芯片的抗电压过载能力、优化电流分布、增强光输出性能，以及提升结构稳定性和耐用性。通过在N‑GaN通孔周围设计DBR或SiO2材料的导电通孔，并优化通孔布局与直径，本实用新型显著降低了电流集中的风险，从而减少了EOS引起的损害。此外，采用金属反射层和非金属反射层的结合，以及透明导电层，本实用新型实现了高效的光反射和优良的电气性能。金属保护层的应用进一步增强了芯片的环境稳定性和耐用性。本实用新型适用于各种高性能照明和显示应用，能够提供优异的光电性能和长期的可靠性。

本实用新型一种倒装LED芯片在权利要求书中公布了：1.一种倒装LED芯片，其特征在于，包括： 一个图案化蓝宝石衬底（100）； 位于所述衬底上的一个外延层，该外延层包括N型氮化镓（200）、一个量子阱结构（300），以及P型氮化镓（400）； 一组在所述外延层中形成的N-GaN层通孔（201）； 一个透明导电层（500），覆盖在所述外延层上，与P-GaN形成欧姆接触； 一个非金属反射层（600），位于所述透明导电层之上，其中包含多个镂空通孔（501），所述镂空通孔在靠近所述N-GaN层通孔的区域内呈均匀等间距排列，且其直径相比于小孔（502）大1.2倍至2.5倍； 一个金属导电反射层（700），覆盖在所述非金属反射层（600）和所述镂空通孔（501）之上，通过所述透明导电层实现与P-GaN的电连接； 一个金属保护层（800），覆盖在所述金属导电反射层（700）的顶面和侧壁； 第一非金属钝化层（900），覆盖在所述金属保护层（800）之上； 第一电极（1000），穿透所述第一非金属钝化层（900）与N型氮化镓（200）连接； 第二非金属钝化层（1100），覆盖在所述第一电极（1000）和第一非金属钝化层（900）之上； 第二电极（1200），穿透所述第二非金属钝化层（1100）连接至第一电极（1000）和P型氮化镓（400）。

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