台湾积体电路制造股份有限公司杨世海获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利纳米片场效应晶体管器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113130653B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010919434.7，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权纳米片场效应晶体管器件及其形成方法是由杨世海;杨柏峰;姚茜宁;徐志安设计研发完成，并于2020-09-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本纳米片场效应晶体管器件及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开涉及纳米片场效应晶体管器件及其形成方法。一种半导体器件，包括突出于衬底上方的鳍；鳍之上的源极漏极区域；源极漏极区域之间的纳米片，其中纳米片包括第一半导体材料；在纳米片之间并且在纳米片的相反端部处的内部间隔件，其中在每个内部间隔件与源极漏极区域的相应源极漏极区域之间存在气隙；以及鳍之上并且在源极漏极区域之间的栅极结构。
本发明授权纳米片场效应晶体管器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 鳍，突出于衬底上方； 源极漏极区域，在所述鳍之上； 纳米片，在所述源极漏极区域之间，其中，所述纳米片包括第一半导体材料； 内部间隔件，在所述纳米片之间并且在所述纳米片的相反端部处，其中，在每个所述内部间隔件与所述源极漏极区域中的相应源极漏极区域之间存在气隙；以及 栅极结构，在所述鳍之上并且在所述源极漏极区域之间，以及 材料层，在每个所述内部间隔件与所述相应源极漏极区域之间，其中，所述气隙在每个所述内部间隔件与所述材料层之间， 其中，所述源极漏极区域具有在所述纳米片之间朝向所述内部间隔件延伸的多个突起，其中，所述材料层在所述多个突起之上共形地延伸， 其中，每个所述内部间隔件具有面向所述栅极结构的第一凹面，并且具有面向所述源极漏极区域的第二凹面。
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