美光科技公司胡怡获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112436012B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010825265.0，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法是由胡怡;R·M·阿卜杜勒拉哈曼;N·比利克;D·比林斯利;柏振宇;J·M·卡什;M·J·金;A·李;D·诺伊迈耶;W·Y·吴;Y·K·朴;C·蒂瓦里;王宜平;L·威廉森;张晓松设计研发完成，并于2020-08-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法在说明书摘要公布了：本申请涉及存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。一种包括存储器单元串的存储器阵列包括个别地包括竖直堆叠的横向间隔开的存储器块，所述竖直堆叠包括交替的绝缘层和导电层。存储器单元的操作性沟道材料串延伸穿过所述绝缘层和所述导电层。居间材料在横向上处于横向紧邻的所述存储器块之间且在纵向上沿着所述存储器块。所述居间材料包括其中个别地具有竖直伸长接缝的纵向交替的第一和第二区域。所述竖直伸长接缝在所述第一区域中比在所述第二区域中长。公开包含方法的额外实施例。
本发明授权存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法在权利要求书中公布了：1.一种包括存储器单元串的存储器阵列，其包括： 横向间隔开的存储器块，其个别地包括竖直堆叠，所述竖直堆叠包括交替的绝缘层和导电层，存储器单元的操作性沟道材料串延伸穿过所述绝缘层和所述导电层；以及 居间材料，其在横向上处于横向紧邻的所述存储器块之间且在纵向上沿着所述存储器块，所述居间材料包括其中个别地具有竖直伸长接缝的纵向交替的第一和第二区域，所述竖直伸长接缝在所述第一区域中比在所述第二区域中长， 其中所述第一区域和所述第二区域中的所述竖直伸长接缝个别地包括至少一个空隙空间；且 其中所述第一区域和所述第二区域中的所述竖直伸长接缝个别地包括多个竖直间隔开的空隙空间。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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